За последние 15—20 лет широкое распространение
получили полупроводниковые приборы. Малые габариты, экономичность и
низкие напряжения питания сделали полупроводниковые приборы незаменимыми
в производстве малогабаритной радиоаппаратуры.
Принцип работы таких приборов основан на свойстве полупроводниковых
материалов изменять проводимость под влиянием температуры, напряжения,
светового потока. В основу построения полупроводниковых диодов и
транзисторов положены процессы, происходящие на границе двух
полупроводниковых материалов с разными проводимостями.
Площадь перехода у плоскостных диодов много больше, чем у точечных.
Они отличаются большой механической прочностью и надежностью в работе.
Плоскостные диоды применяются главным образом в схемах выпрямления
переменного тона, а точечные — в цепях высокой частоты с малыми
величинами тока.
Маркировка кремниевых и германиевых диодов состоит из буквы Д-диод и
числа, указывающего на материал и конструкцию диода. Например: Д1 — Д100
— диоды
Полупроводниковые триоды или транзисторы — приборы, предназначенные для
усиления и генерирования колебаний высокой и низкой частоты. Параметры
транзисторов находятся в большой зависимости от схемы включения их
электродов. Различают три такие схемы (см. рис. 1): с общей базой ОБ, с
общим эмиттером ОЭ, с общим коллектором ОК. Свойства этих схем
характеризуются общими для них параметрами — коэффициентом усиления по
току, напряжению и мощности, а также величиной входного и выходного
напряжения.
Схема с общим эмиттером нашла наиболее широкое распространение в
радиоаппаратуре.
Из-за малого входного сопротивления схема с общей базой используется
только в усилителях высоких частот, где она работает наиболее устойчиво.
Схемы с общим коллектором используются во входных
каскадах или в качестве согласующего элемента.
Наряду с новой системой маркировки до настоящего времени используются
транзисторы, имеющие старую маркировку из трех элементов, поэтому знание
ее необходимо. Первый элемент условного обозначения буква П означает —
полупроводниковый триод (за исключением транзисторов МП, где М означает
модернизированный). Второй элемент — цифра — определяет материал,
мощность рассеяния, предельную частоту транзистора. Третий элемент —
буква — означает различие транзисторов внутри одного типа согласно ГОСТ
5461—59.
Пример: транзистор имеет условное обозначение П-201, что означает:
полупроводниковый триод, германиевый, низкочастотный с мощностью
рассеяния выше 0,25 Вт.
Новая система маркировки согласно ГОСТ 10862—64 состоит из четырех
элементов. Первый элемент — буква или цифра — обозначает основной
материал транзистора: К или 1 — кремниевый, Г или 2 — германиевый.
Второй элемент — буква Т — транзистор. Третий элемент — цифра —
определяет предельную частоту и мощность рассеяния транзистора.
Четвертый элемент — буква — обозначает отличие транзистора внутри типа.
Предельные частоты и мощности транзисторов
приведены в табл. 1, 2.
Пример условного обозначения: ГТ310В означает — германиевый транзистор с
мощностью рассеяния до 0,3 Вт? высокочастотный, с коэффициентом усиления
В выше, чем у транзистора типа ГТ310А (по току).