Полупроводниковой интегральной микросхемой называют схему, все элементы
и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности
кристалла полупроводника.
Основным преимуществом полупроводниковых интегральных микросхем является
повышенная степень интеграции и более высокие параметры, однако
стоимость изготовления полупроводниковых микросхем более высокая по
сравнению с пленочной и гибридной.
Для изготовления полупроводниковых микросхем используют кремний,
германий и др.
Наиболее распространенным является кремний, обладающий более высокими
электрическими и физико-химическими характеристиками по сравнению с
другими полупроводниковыми элементами. Кремний имеет большую ширину
запрещенной зоны, что обеспечивает более широкий (почти в 2 раза)
интервал рабочих температур (до 150°С), обратные токи р-n- переходов в
тысячу раз меньше, чем у германия и большее пробивное напряжение. Пробой
р-п-перехода наступает при более высокой температуре. Оксид кремния
служит защитным покрытием от воздействий внешней среды при проведении
ряда технологических процессов.
Кремний получают в виде монокристаллических стержней, которые в
зависимости от типа проводимости делятся на восемь групп. Марки стержней
обозначаются буквами. Например, КЭФ — кремний электронной проводимости
(«-типа), легированный фосфором; КДБ — кремний дырочной проводимости (р-типа),
легированный бором.
Стержневые монокристаллы полупроводников разрезают на пластины
(подложки).
Чтобы получить чистую поверхность, подготовленные
пластины (подложки) подвергают специальной обработке. Концентрация
примесей не должна превышать 10~8—10~7 г/см2. От процесса обработки и
очистки во многом зависит количество микросхем. Заготовки пластин
(подложек) для предохранения поверхностей от новых загрязнений покрывают
полимерными лаками. Контроль осуществляют визуально с помощью
микроскопов МБС-1 и МБС-2 или микроинтерферометров МИИ-4.