4. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО
ПРЕПОДАВАНИЮ ОСНОВ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОРАДИОТЕХНИКИ
Диод — это полупроводниковый прибор с двумя
выводами, содержащий один или несколько электронно-дырочных переходов.
Различают две разновидности диодов: точечные и плоскостные. В точечных
диодах полупроводниковый кристалл соприкасается с металлической
контактной иглой в одной точке. В плоскостных диодах на
полупроводниковый кристалл наплавлена капелька индия. При этом
образуется поверхность раздела двух областей полупроводника.
Как точечные, так и плоскостные диоды обладают свойством односторонней
проводимости, т. е. пропускают электрический ток только в одну сторону и
не пропускают в другую. Это основное свойство диода используют для
выпрямления переменного тока (преобразования переменного тока в
постоянный) и детектирования. По своему назначению диоды подразделяются
на ряд групп. Наибольшее распространение имеют точечные диоды для
детектирования сигналов и плоскостные для выпрямления переменного тока.
Транзистор, или полупроводниковый триод,— это преобразовательный прибор
с несколькими электронно-дырочными переходами, имеющий не менее трех
выводов, пригодный-для усиления электрических сигналов. Различают
транзисторы двух типов: р-п-р и п-р-п. Электроды транзистора называют
эмиттер, коллектор и база. О принципе действия транзисторов рассказывают
только старшим кружковцам (9-е—10-е классы).
Важнейшими характеристиками транзистора считают обратный ток коллектора,
коэффициент усиления по току, граничную частоту усиления, мощность,
рассеиваемую транзистором. По частоте различают транзисторы
низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные.
По величине мощности, рассеиваемой коллектором, транзисторы делятся на
приборы малой, средней и большой мощности.
Промышленность выпускает широкий ассортимент диодов и транзисторов
различного назначения, поэтому им присваивается буквенно-цифровое
обозначение.
Полупроводниковые диоды, выпускавшиеся промышленностью до 1964 г., имеют
обозначения, состоящие из трех элементов:
Первый элемент — буква Д.
Второй элемент — число, указывающее исходный материал и назначение
прибора.
Точечные диоды: от 1 до 100 германиевые и от 101 до 200 кремниевые.
Плоскостные диоды: от 201 до 300 кремниевые и от 301 до 400 германиевые.
Кремниевые стабилитроны — от 801 до 900.
Варикапы — от 901 до 950.
Туннельные диоды — от 951 до 1000.
Третий элемент — буква, указывающая на разновидность диода внутри данной
группы.
По ГОСТу 10862—64 полупроводниковым диодам присваиваются обозначения из
четырех элементов;
Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или
1 —германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия. При этом
цифровой элемент присваивается диодам, которые могут работать при
повышенной температуре.
Второй элемент — буква, указывающая на тип полупроводникового диода: Д —
выпрямительные, универсальные, импульсные диоды; Ц — выпрямительные
столбы и блоки; А — сверхвысокочастотные диоды; С — стабилитроны; И —
туннельные диоды; В — варикапы; Ф — фотодиоды; Н — неуправляемые
многослойные переключающие диоды; У — управляемые многослойные
переключающие д^иоды.
Третий элемент — число, характеризующее назначение или электрические
свойства диода. Выпрямительные: 101—399, варикапы: 101—999,
сверхвысокочастотные диоды разные: 101—699, стабилитроны: 101—999,
туннельные диоды: 101—399, фотодиоды: 101—199, выпрямительные столбы:
101—299, выпрямительные блоки: 301—599.
Четвертый элемент — буква, указывающая на разновидность типа данной6
группы приборов. Для полупроводниковых диодов, не имеющих разновидности,
этот элемент отсутствует.
Пример маркировки: КС168А — кремниевый стабилитрон,
разновидность типа А; ГИ302В — германиевый туннельный диод,
разновидность типа В.
Транзисторы, выпущенные до 1964 г., имеют условные обозначения из двух
иди трех элементов:
Первый элемент—буквы П или МП (для транзисторов с.унифицированным
корпусом).
Второй элемент — число, указывающее исходный материал и назначение
транзистора. Германиевые маломощные низкочастотные— от 1 до 100;
кремниевые маломощные низкочастотные — от 101 до 200; германиевые мощные
низкочастотные — от 201 до 300; кремниевые мощные низкочастотные — от
301-до 400; германиевые высокочастотные маломощные — от 401 до 500;
кремниевые высокочастотные маломощные — от 501 до 600; германиевые
высокочастотные мощные — от 601 до 700; кремниевые высокочастотные
мощные — от 701 до 800.
Исключения составляют транзисторы ПЗ и П4, которые являются мощными
низкочастотными.
Третий элемент — буква, указывающая разновидность типа транзистора.
В соответствии с ГОСТом 10862—64 транзисторам присваиваются обозначения
из четырех элементов:
Первый элемент — буква или цифра, указывающая на исходный материал: Г
или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т.
Третий элемент — число, указывающее назначение или элек-
трические свойства транзистора. Маломощные
низкочастотные: 101 —199, маломощные среднечастотные: 201—299,
маломощные высокочастотные: 301—399, низкочастотные средней мощности:
401—499, среднечастотные средней мощности:1 501—599, высокочастотные
средней мощности: 601—699, низкочастотные большой мощности: 701—799,
среднечастотные большой мощности: 801 — 899, высокочастотные большой
мощности: 901—999.
Четвертый элемент — буква, указывающая классификационную группу
разработки транзистора (А, Б, В и т. д.).
Пример маркировки: ГТ109Д — германиевый маломощный низкочастотный
транзистор, разновидность типа Д.