Datasheet синтезирован PAV на основе материалов из сети Internet
1
К198НТ1А, К198НТ1Б, КР198НТ1А, КР198НТ1, КБ198НТ1-4
Микросхемы представляют собой набор из 5-и n-p-n-транзисторов выполненных на общей подложке. Содержат 5
интегральных элементов. Корпус типа 401.14-4, масса не более 0,8 г и типа 201 14-1. масса не более 1 г.
Электрическая схема К198НТ1
Назначение выводов
1
эмиттер транзистора VT3
2
база транзистора VT3
3
коллектор транзистора VT3
4
эмиттер VT5
5
база VT5
6
коллектор VT5
7
эмиттер VT4
8
база VT4
9
коллектор VT4
10 коллектор VT2
11 база VT2
12 эмиттер транзисторов VT1 и VT2
13 база VT1
14 коллектор VT1
Электрические параметры
Напряжение насыщения база-эмиттер............................................................................................................................. ≤1 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер................................................................................................................. ≤0,7 В
Напряжение смещения нуля дифференциальной пары ................................................................................................ ≤4 мВ
Обратный ток коллектора........................................................................................................................................ ≤0,04 мкА
Статический коэффициент передачи тока:
К198НТ1А, КР198НТ1А ................................................................................................................................. 20...125
К198НТ1Б, КР198НТ1Б ................................................................................................................................. 60...250
Разброс коэффициента передачи тока дифференциальной пары.................................................................................≤15%
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Напряжение коллектор-база..............................................................................................................................................20 В
Напряжение эмиттер-база...................................................................................................................................................5 В
Ток коллектора................................................................................................................................................................ 10 мА
Рассеиваемая мощность одним транзистором .............................................................................................................20 мВт
Температура окружающей среды.......................................................................................................................... –45...+85°С