Учебное пособие: Методические указания к лабораторной работе по курсу “Физические основы электроники” для студентов специальностей 2007 Радиотехника

Министерство образования Российской Федерации

Уральский государственный технический университет

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ РЕЗИСТОРОВ

Методические указания к лабораторной работе по курсу

“Физические основы электроники”

для студентов специальностей 2007 - Радиотехника,

2015 - Бытовая радиоэлектронная аппаратура,

2016 - Радиоэлектронные системы

Екатеринбург 1999

УДК 621.38

Составитель: А.В.Болтаев

Научный редактор: доц., канд.техн.наук В.И.Елфимов

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ РЕЗИСТОРОВ : Методические указания к лабораторной работе по курсу “Физические основы электроники”/А.В.Болтаев. Екатеринбург: УГТУ, 1999. 29 с.

Методические указания содержат описание устройства, принципов действия, основных характеристик и параметров варисторов, терморезисторов, фоторезисторов, описание экспериментальной установки, лабораторное задание, рекомендации по обработке результатов эксперимента и оформлению отчета, вопросы для самопроверки, справочные данные исследуемых приборов.

Библиогр. 9 назв. Рис. 11. Табл. 4. Прил. 5.

Подготовлено кафедрой “Радиоэлектроника

информационных систем"

С Уральский государственный

технический университет, 1999

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Ознакомиться с физическими основами работы, характеристиками и параметрами полупроводниковых резисторов - варисторов, терморезисторов, фоторезисторов, исследовать зависимость их параметров и характеристик от напряжения и температуры, развить умения экспериментального исследования.

2. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
РЕЗИСТОРАХ

Резистор - это элемент электронной техники, основным используемым свойством которого является его электрическое сопротивление.

Полупроводниковые резисторы - это множество видов резисторов, изготовленных из различных полупроводниковых материалов и использующих зависимость их электрического сопротивления от разнообразных воздействующих на резистор факторов. Соответственно выделяют:

- варисторы (зависимость R от напряжения U);

- терморезисторы (от температуры Т);

- фоторезисторы (от светового потока Ф);

- магниторезисторы (от магнитного поля В);

- тензорезисторы (от механического давления Р).

Наличие полупроводниковых резисторов с таким широким спектром зависимостей позволяет использовать их в разрабатываемой радиоэлектронной аппаратуре для решения множества разнообразных задач:

- в качестве датчиков для измерения соответствующего параметра (U, Т, Ф, В, Р);

- в устройствах стабилизации параметров объектов;

- в системах сигнализации и защиты от перегрузок;

- в системах регулирования физических величин;

- в системах преобразования сигналов.

3. ВАРИСТОР

Варистор - это нелинейный полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется в зависимости от приложенного напряжения. Маркировка - цифробуквенное обозначение варисторов (напр. СН 1-2-2) содержит информацию:

- СН - сопротивление нелинейное, т.е. варистор;

- 1-я цифра означает материал (1 - карбид кремния, 2 - селен);

- 2-я цифра (через дефис) - тип конструкции (1, 8 - стержневой, 2,6,7,10 - дисковый, 3 - микромодульный);

- 3-я цифра - порядковый номер разработки (как в нашем примере), или величину классификационного напряжения варистора (напр. СН1-10-47). Вольтамперная характеристика (ВАХ) варистора нелинейна и симметрична (рис.2).

3.1. Устройство, принцип действия, вольтамперная характеристика варистора

Чтобы получить такую зависимость J(U) варисторы изготавливают в основном из карбида кремния SiC, порошкообразные зерна которого размером
20 - 180 мкм перемешивают с 10 - 40 % связующего диэлектрического материала - глины, керамики, прессуют и обжигают при высокой температуре. В результате варистор представляет собой внутри конгломерат зерен с самой разной величиной зазоров и площадей соприкосновения.

При приложении малых напряжений напряженность поля в объеме варистора мала, ток будет протекать только через места непосредственного соприкосновения кристаллических зерен, будет мал и пропорционален напряжению (участок ОА на рис.2 практически линеен). С ростом напряжения (рис.2, рабочая область АВ) общее сопротивление варистора уменьшается за счет действия следующих явлений, происходящих на точечных контактах и поверхности кристаллов SiC:

а) тепловой эффект - нагрев точечных контактов кристаллов SiC, ведущий к уменьшению сопротивления между ними;

б) электростатическая эмиссия (туннелирование) с острых зубцов и граней кристаллов карбида кремния;

в) пробой оксидных пленок, образующихся на поверхности кристаллов.

Чем выше напряжение, тем с большими зазорами между кристаллами подключаются участки, эффективное сечение, через которое течет ток, увеличивается. Практически все напряжение, приложенное к варистору, падает на точечных контактах.

При мелкозернистой структуре эти механизмы практически не зависят от полярности приложенного напряжения - соответственно ВАХ варистора получается симметричной.

3.2. Основные параметры варисторов

1. Классификационный ток Jкл - ток, при котором определяются основные параметры варистора, соответствует рабочей области ВАХ.

У большинства варисторов Jкл лежит в пределах 2 - 20 мА, у высоковольтных равен 0,05 мА.

2. Классификационное напряжение Uкл - это напряжение на варисторе, соответствующее классификационному току Jкл. Разработано множество варисторов с Uкл в диапазоне от 5 В до 25 кВ.

3. Асимметрия ВАХ d_u [%]

Оценивается на уровне классификационного тока и обычно не превышает
± (5 - 20)%.

5

4. Статическое сопротивление R - значение сопротивления варистора в заданном режиме при постоянных величинах тока и напряжения.

.

5. Динамическое (дифференциальное) сопротивление r - сопротивление варистора малому переменному току.

.

Динамическое сопротивление r может быть определено по наклону ВАХ варистора в рассматриваемой рабочей точке.

6. Коэффициент нелинейности b - это отношение статического сопротивления к динамическому в рабочем режиме:

.

В справочниках величины b приводятся для Uкл.

В среднем в рабочей области напряжений у варисторов из карбида кремния b =3 - 6, но имеются варисторы с b ³ 2 (низковольтные) и с
b = 5 - 10 (высоковольтные).

7. Диапазон рабочих температур варисторов лежит в пределах от
Т_min = -(40 - 60)⁰ С до Т_{м ax} = +(70 - 125)⁰ С.

8. Температурный коэффициент тока варистора ТКJ равен относительному изменению тока при изменении температуры при постоянном напряжении на варисторе.

6

Обычно ТКJ варисторов определяется при Т₁ = 20⁰ С и Т₂ = 100⁰ С и не превышает величины 0,7 % / град.

9. Температурный коэффициент сопротивления

= -ТКJ < 0

U

имеет величины в диапазоне 0 - -0,7%/град.

10. Допустимая рассеиваемая мощность Р_РАСС - мощность, при которой варистор сохраняет свои параметры в заданных техническими условиями пределах в течение срока службы. Существуют варисторы с Р_РАСС от 10 мВт до
3 Вт.

11. Наибольшая начальная емкость С_о имеет величины от единиц до сотен пФ у различных типов варисторов.

3.3. Характеристики варисторов

Основные характеристики варисторов:

- вольтамперная (см.рис.2);

- зависимость статического R и динамического r сопротивлений от напряжения (рис.3,а);

- зависимость коэффициента нелинейности b от напряжения (рис.3,б).

Качественно ход ВАХ варистора пояснен выше (разд. 3.1), отдельные участки ВАХ (в пределах которых величина b изменяется незначительно) можно аппроксимировать выражением

J = A · U^b ,

где А - коэффициент, зависящий от типа варистора, температуры;

b - коэффициент нелинейности варистора.

4. ТЕРМОРЕЗИСТОР

Терморезистор - это резистор, сопротивление которого сильно зависит от температуры.

Разработаны следующие разновидности терморезисторов:

1. Термистор - терморезистор, сопротивление которого с ростом температуры уменьшается.

2. Позистор - терморезистор, сопротивление которого с ростом температуры очень сильно возрастает.

3. Терморезистор прямого подогрева, температура и сопротивление которого определяются температурой окружающей среды и саморазогревом от протекающего через него тока.

4. Терморезистор косвенного подогрева, разогревается от специального дополнительного встроенного нагревателя.

5. Болометр - терморезистор, чувствительный к воздействию теплового и оптического излучений, содержащий в своем составе активную и компенсационную части.

Широко известны температурные зависимости электропроводности металлов, собственных и примесных полупроводников (германий, кремний и др.). Однако в терморезисторах эти материалы не нашли применения из-за:

- недостаточно сильной зависимости подвижности носителей заряда от температуры в проводниках и примесных полупроводниках;

- несоответствия типовому диапазону рабочих температур -60⁰ С - +60⁰ С;

- областей экпоненциального изменения концентрации носителей в примесных полупроводниках (область истощения примесей - менее 100 К, область перехода к собственной проводимости - более 400 К);

- высокой нестабильности величин сопротивлений технически изготавливаемых собственных полупроводников.

Термисторы изготавливаются из окислов металлов с незаполненными электронными оболочками. При низких температурах обмен электронами соседних ионов затруднен и электропроводность кристалла мала. С ростом темпе-

8

ратуры растет тепловая энергия атомов и электронов, интенсифицируется обмен электронами между ионами и экспоненциально возрастает подвижность носителей заряда.

Основные используемые материалы:

- кобальт-марганцевые сплавы (напр. терморезисторы КМТ-4,
СТ1-2);

- медно-марганцевые сплавы (напр. ММТ-1, СТ2-26);

- медно-кобальтовые сплавы (напр. М2К2, СТ3-6);

- оксиды ванадия V₂ 0₄ и V₂ 0₃ .

Позисторы изготавливаются в основном из титаната бария (ВаТi0₃ ) с добавкой редкоземельных элементов (лантана, церия и др.) и керамики. Титанат бария - диэлектрик. При низких температурах в нем очень высока спонтанная (самопроизвольная) поляризация, высота барьеров между зернами мала, диэлектрическая проницаемость e > 1000, он является сегнетоэлектриком.

При нагреве до температуры, соответствующей точке Кюри (для титаната бария 125⁰ С) и выше, спонтанная поляризация пропадает, происходит фазовое превращение титаната бария в параэлектрик, диэлектрическая проницаемость e резко уменьшается до единиц, растет высота потенциальных барьеров на границах зерен и сопротивление позистора многократно возрастает.

4.1. Основные параметры терморезисторов

1. Номинальное сопротивление R_ном определяется при 20⁰ С, у различных терморезисторов лежит в пределах от десятков Ом до сотен килоОм.

2. Допустимое отклонение величины сопротивления от номинального - не более ±20%.

3. Диапазон рабочих температур Т_min - Т_max . Имеются терморезисторы [2] с величинами Т_min в пределах от -196⁰ С до 0⁰ С и Т_max в пределах от 50⁰ С до 300⁰ С.

4. Коэффициент температурной чувствительности В - аппроксимирующий коэффициент, используется для математического описания зависимости R и TKR от температуры. Вычисляется по формуле

В = [K],

где R₁ и R₂ - сопротивления терморезистора при температурах соответственно Т₁ и Т₂ (в градусах по шкале Кельвина).

У основной массы терморезисторов величина В лежит в диапазоне
2000 - 7200 [K], но есть терморезисторы с величиной В в пределах
700 - 15800 [K].

5. Температурный коэффициент сопротивления ТКR - изменение сопротивления терморезистора в % при изменении его температуры на 1⁰ С.

9

ТКR = [% / град].

В справочниках приводятся величины ТКR обычно для 20⁰ С. У различных термисторов величины ТКR лежат в диапазоне -(0,8-8,4) % / град., у позисторов +(10-20)% / град.

ТКR также определяется соотношением TKR = - ,

где Т - температура по шкале Кельвина.

6. Максимальная рассеиваемая мощность Р_РАСС [мВт] - это максимально допустимая мощность, которую терморезистор может рассеивать при непрерывной электрической нагрузке и заданной температуре окружающей среды, сохраняя параметры в пределах норм. Р_РАСС обычно задается для 2-х температур - комнатной (20⁰ С) и максимальной. С ростом температуры окружающей среды Р_РАСС уменьшается в десятки - сотни раз.

7. Постоянная времени t [с] - промежуток времени, в течение которого температура терморезистора изменится на 63% (т.е. в
е = 2,7 раза) от величины перепада температур, обусловленных изменением подводимой к терморезистору мощности или изменением температуры окружающей среды в спокойном воздухе.

Для разных типов терморезисторов в зависимости от их размеров и конструкции постоянная времени лежит в пределах от 0,5 до 140 с.

4.2. Характеристики терморезисторов

1. Статическая вольтамперная характеристика терморезистора - это зависимость падения напряжения на терморезисторе от проходящего через него тока в условиях теплового равновесия терморезистора с окружающей средой. Статическая ВАХ снимается в установившемся режиме с учетом постоянной времени терморезистора t.

Начальные участки ВАХ и термисторов, и позисторов (ОА, ОС, ОЕ на рис.4) практически линейны. При дальнейшем увеличении тока подводимая мощность возрастает, происходит саморазогрев терморезисторов и подводимое напряжение у термисторов (а, б) или незначительно возрастает (участок АВ рис.4) или даже незначительно уменьшается (участок СД рис.4) из-за уменьшения их сопротивления.

У позисторов (в) в точке Е происходит разогрев от подводимой мощности до температуры, соответствующей точке Кюри, и при дальнейшем увеличении подводимого напряжения ток резко уменьшается (участок EF), а сопротивление возрастает.

2. Рабочая (температурная) характеристика терморезистора - это зависимость его сопротивления от температуры; снимается в установившемся режиме. Примеры температурных характеристик различных терморезисторов приведенына рис.5.

10

Температурную характеристику термисторов можно аппроксимировать следующим уравнением:

R(T) = Ro exp ,

из которого получаем уравнение

Rт = R_N exp[B ( )],

где R_т и R_N - соответственно сопротивления при температурах Т и Т_N (в градусах Кельвина), В - коэффициент температурной чувствительности.

Для позисторов рабочим является участок при Т > 110⁰ С, где их
сопротивление резко возрастает при увеличении температуры (рис.5,
кривая в).

3. Подогревная характеристика (для термисторов косвенного подогрева) - это зависимость сопротивления от подводимой для подогрева мощности. Так как обычно размеры термисторов небольшие, а зависимость сопротивления от температуры достаточно сильная, то подогревная характеристика круто спадает при достаточно малой подводимой мощности (рис.6).

12

5. ФОТОРЕЗИСТОР

Фоторезистор - это полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется в зависимости от поглощаемого светового потока.

Для принципа действия фоторезистора наиболее важны следующие свойства:

а) фотогенерация избыточных носителей тока при поглощении квантов света с энергией больше ширины запрещенной зоны (hv > DW) или энергии активации примеси (hv > DW_пр );

б) усиление фототока за счет многократного прохождения носителей через фоторезистор в случае, когда время жизни носителей t много больше времени пролета t_пр их через фоторезистор при приложении к нему разности потенциалов. Коэффициент усиления фоторезистора по току

М = .

Область спектральной чувствительности фоторезисторов определяется шириной запрещенной зоны используемых материалов и, чтобы перекрыть и использовать излучения видимого, инфракрасного, ультрафиолетового диапазонов, созданы фоторезисторы из различных материалов:

- РвS , сернистый свинец (маркировки: старая - ФС-А, новая -
СФ-1);

- CdS, сернистый кадмий (ФСК, СФ-2);

- CdSe, селенистый кадмий (ФСД, СФ-3 и др.).

5.1. Основные параметры фоторезисторов

1. Темновое сопротивление Rт измеряется при отсутствии светового воздействия (Ф=0), имеет величину порядка 10⁴ - 10⁷ Ом.

2. Темновой ток Jт измеряется при напряжении 1 В.

Jт = .

3. Напряжение питания Un у различных фоторезисторов лежит в пределах
4 - 400 В.

4. Максимально допустимая мощность рассеяния Р_{m ax} имеет величины в пределах 0,01 - 0,2 Вт. Она ограничена допустимым ростом темнового тока за счет разогрева.

5. Постоянная времени t определяется временем жизни избыточных фотогенерированных носителей тока. Диапазон величин 10^-5 - 10^-1 с.

6. Коэффициент усиления по току М может достигать величин 10³ - 10⁷ . Для увеличения М увеличивают постоянную времени t (но при этом возрастает

13

инерционность и уменьшается диапазон частот модуляции сигнала), либо уменьшают время пролета (уменьшая длину фоточувствительного слоя, увеличивая рабочее напряжение).

7. Кратность изменения сопротивления - отношение темнового сопротивления к наименьшему световому сопротивлению на линейном участке световой характеристики (см.п.5.2, рис.10,б).

Величины = 10² - 10⁴ .

8. Длинноволновая граница фотопроводимости l_о определяется шириной запрещенной зоны DW, либо энергией активации примесей DW_пр используемых материалов.

l_о = [мкм].

Наиболее распространенные материалы фоторезисторов имеют величины:

- сернистый кадмий (CdS) l₀ = 0,49 мкм (DW = 2,53 эВ);

- сернистый свинец (PвS) ¾ 3,36 мкм (DW = 0,37 эВ);

- антимонид индия (JлSв, 77 К) ¾ 7,3 мкм (DW = 0,17 эВ);

- германий, легированный медью (Ge:Cu, 15 К) ¾ 25 мкм

9. Рабочая длина волны - l_{m ax} - соответствует максимуму спектральной характеристики фоторезистора (см. п.5.2, рис.9), l _{m ax} на 20 - 50% < l_о .

10. Температурный коэффициент фототока

a_т = · 100 = -(0,1 - 0,01) % / град

С ростом температуры фототок уменьшается в основном из-за уменьшения времени жизни t носителей и, соответственно, уменьшения
коэффициента усиления М.

11. Пороговая (обнаружительная) чувствительность Ф_{m in} - минимальный световой поток, вызывающий появление фототока, равного темновому току.

Определяется в полосе Df = 1 Гц, при соотношении сигнал/шум, равном 1, приводится к площади светочувствительного слоя 1 см² . Имеет, например, у фоторезистора из CdS величину 2 · 10^-15 [Вт/см Гц^1/2 ].

5.2. Характеристики фоторезисторов

Важными характеристиками фоторезисторов являются вольтамперная, световая, спектральная, частотная, переходная, шумовая.

1. Вольтамперная характеристика фоторезистора - это зависимость тока фоторезистора от величины приложенного напряжения при фиксированном

14

значении воздействующего светового потока Ф. Обычно рассматривают семейство ВАХ при различных величинах Ф (рис.7).

Темновая ВАХ фоторезистора (ОД) линейна, для наглядности на рис.7 величина темнового тока увеличена в 10³ раз. Типовая ВАХ (например, при
Ф₁ = 0,1 лм) в общем случае состоит из 3 участков:

- АВ - рабочий, линейный участок;

- ОА - обычно нелинейный, квадратичный из-за заметного при малых токах и напряжениях действия потенциальных барьеров между полупроводниковым слоем и выводами, между отдельными зернами фоточувствительного слоя;

- ВС - загиб ВАХ при больших токах обусловлен разогревом фоточувствительного слоя, ростом концентрации носителей, скорости рекомбинации и, соответственно, уменьшением времени жизни носителей и коэффициента усиления М.

2. Световая характеристика фоторезистора J(Ф)½U - это зависимость его тока от величины светового потока при постоянном напряжении питания (рис.8). Другие названия световой характеристики - интегральная, энергетическая, люкс-амперная.

15

Рабочей является линейная часть световой характеристики (участок АВ), на которой ток фоторезистора пропорционален световому потоку и неискаженно воспроизводит сигнал.

При малых интенсивностях светового потока световая характеристика (участок ДА) нелинейна из-за

- наличия темнового тока (при Ф=0),

- непропорционального роста фототока при слабом освещении из-за захвата фотоносителей центрами прилипания, рекомбинации, ловушками, создаваемыми дефектами кристаллической решетки, атомами посторонних примесей.

При больших световых потоках (участок ВС) происходит загиб световой характеристики из-за увеличения скорости рекомбинации носителей, уменьшение времени жизни t и коэффициента усиления М.

3. Спектральная характеристика - это зависимость относительной (т.е. нормированной по максимуму) чувствительности (тока) фоторезистора от длины волны излучения (при фиксированных напряжении на фоторезисторе и силе светового потока) (рис.9).

16

При l > l₀ энергии кванта недостаточно для генерации свободных носителей заряда (hv < DW).

На участке l₀ ¸ l _{m ax} рост тока обусловлен ростом плотности разрешенных состояний в валентной зоне и зоне проводимости при удалении от их границ и, соответственно, возможностью поглощения потока квантов света.

Спад на участке ВА при уменьшении l обусловлен

- уменьшением числа квантов света при постоянной силе светового потока j и, соответственно,уменьшением числа фотогенерированных носителей заряда;

- поглощением света в приповерхностном слое все меньшей толщины и, соответственно, возрастанием потерь от рекомбинации, уменьшением эффективного времени жизни фотогенерированных носителей заряда.

5.3. Характеристики и параметры оптронов

Оптрон, или оптоэлектронная пара - это конструктивно единый элемент, состоящий из светоизлучателя, оптической среды, электрического изолятора и фотоприемника. Светоизлучателем могут быть светодиод, полупроводниковый лазер, электролюминесцентный излучатель. Фотоприемники также разнообразны - фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры.

В лабораторной работе будет исследоваться оптрон ОЭП-16, состоящий из арсенидгаллиевого светодиода и фоторезистора.

Основные характеристики оптрона - входная и передаточная (рис.10). Входная характеристика - это зависимость тока светодиода от напряжения на

17

нем, имеет экспоненциальный вид, смещена в область напряжений более 1 В (так как Gа Аs имеет ширину запрещенной зоны 1,41 эВ).

Передаточная характеристика - это зависимость сопротивления фоторезистора (управляемого параметра оптрона) от величины входного (управляющего) тока.

Основные параметры оптронов

1. Входное напряжение (при токе 10 мА) ¾ 1,1 ¸ 2 В.

2. Коэффициент передачи тока (при токе 10 мА) ¾ 0,5 ¸ 5%

18

6. СХЕМА ЛАБОРАТОРНОЙ УСТАНОВКИ

стенд (содержащий 2 источника регулируемых напряжений, стрелочные милли-

амперметры и вольтметры, термостат, колодку для подключения исследуемых

19

приборов), цифровые миллиамперметр В7-20 (цмА) и вольтметр Ф203 (цV) и колодки с распаянными варистором СН1-2-2, терморезистором М2К2 и оптоэлектронной парой ОЭП-16 (рис.11).

7. ЛАБОРАТОРНОЕ ЗАДАНИЕ

7.1. Исследование характеристик варистора

7.1.1. Выписать параметры исследуемого варистора СН1-2-2 (Прил. П1).

7.1.2. Собрать схему для снятия прямой ветви вольтамперной характеристики варистора при Т = 20⁰ С. Варистор впаян между выводами Б и Э колодки (рис.11,а). Установить все регуляторы источников напряжения стенда в исходное нулевое положение. Установить диапазоны измерительных приборов стенда в положения "25 В" и "10 мА", а цифровые измерительные приборы в положения "1 мА" (В7-20) и "10 В" (Ф203).

Включить стенд и измерительные приборы. Установить регулятор термостата на Т= 70⁰ С.

7.1.3. Провести измерения для снятия прямой ветви ВАХ варистора в соответствии с табл.1. Записать показания цифровых приборов.

Таблица 1

7.1.4. Включить варистор в обратном направлении (рис.11,а, пунктирные соединения).

Провести измерения соответственно табл.1.

7.1.5. Поместить варистор в термостат. Выдержать его в нем не менее 5 мин для разогрева до 70⁰ С. Повторить измерения согласно п.п.7.1.3 и 7.1.4.

7.2. Исследование характеристик терморезистора

7.2.1. Выписать параметры исследуемого терморезистора М2К2 (Прил.П2).

20

7.2.2. Собрать схему для снятия ВАХ терморезистора (включаемого между выводами "Б" и "К" стенда, см. рис.11,б) при температуре 20⁰ С. Исходные состояния регуляторов стенда и диапазона измерительных приборов установить согласно п.7.1.2.

Регулятор термостата стенда установить в положение "50⁰ С".

7.2.3. Провести измерения напряжений на терморезисторе, задаваясь током через него в соответствии с табл. 2 при температуре 20⁰ С.

Таблица 2

После установления нового режима выдерживать схему в нем не менее 2-3 мин, контролируя задаваемый ток. Только после этого фиксировать показания приборов.

7.2.4. Поместить терморезистор в термостат (нагретый до 50⁰ С), выдержать 5 мин., провести измерения согласно табл.2.

Температуру термостата контролировать и поддерживать с отклонением не более ±1⁰ С.

7.2.5. Разогреть термостат до 70⁰ С, выдержать терморезистор в этом режиме не менее 5 мин, провести измерения согласно табл.2. Температуру термостата поддерживать с отклонением не более ±1⁰ С.

7.3. Исследование характеристик фоторезистора и светодиода
(оптоэлектронной пары)

7.3.1. Выписать параметры исследуемой оптоэлектронной пары ОЭП-16 (Прил.П3).

7.3.2. Собрать схему для исследования характеристик оптоэлектронной пары при температуре 20⁰ С (рис.11,в). Исходные состояния: регуляторы стенда - в нулевом положении; токовые приборы стенда - в положении 10 мА, стрелочные вольтметры стенда: входной - в диапазоне 5 В, выходной - 10 В; цифровой миллиамперметр - в диапазоне 1 мА, цифровой вольтметр - 10 В.

Регулятор термостата стенда установить в положение "70⁰ С".

7.3.3. Задаваясь током в цепи светоизлучающего диода J_д согласно табл.3, провести измерения напряжения на диоде U_д и токов через фоторезистор в режимах подаваемых на него напряжений 1 и 5 В.

21

Таблица 3

7.3.4. Поместить оптопару в термостат. Выждать 5 мин. Повторить измерения согласно табл.3. (при температуре 70⁰ С).

8. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ

8.1. Варистор

Исходя из результатов измерения прямой ветви ВАХ варистора при 20 и 70⁰ С рассчитать (для режимов U_пр = 1, 3, 6, 10, 12, 14 В) величины R, r, b, ТКJ, свести результаты в табл.4, построить графики их зависимостей от напряжения, сформулировать выводы.

Для классификационного тока J_кл = 3 мА рассчитать коэффициенты асимметрии d для Т = 20 и 70⁰ С.

Таблица 4

8.2. Терморезистор

Для всех измерений согласно табл.2 рассчитать величины сопротивлений терморезистора по постоянному току R (оформить в виде соответствующей таблицы). Для токов 1, 3 и 6 мА рассчитать величины температурных коэффициентов сопротивления для диапазонов температур 20⁰ -50⁰ и 50⁰ -70⁰ .

Коэффициент температурной чувствительности В рассчитать для токов 1 и 3 мА и перепада температур (20⁰ - 70⁰ ).

8.3. Фоторезистор

Рассчитать сопротивление фоторезистора в режимах, соответствующих токам светодиода 1, 4 и 10 мА для напряжений на фоторезисторе 1 и 5 В при температурах 20 и 70⁰ С.

22

9. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

Отчет представляется каждым студентом индивидуально и должен содержать:

1. Титульный лист (с указанием - УГТУ; кафедра РЭИС; курс "ФОЭ" (ЭБРЭА), наименование лабораторной работы, номер группы, Ф.И.О. студента и преподавателя, дата сдачи).

2. Формулировку цели исследования.

3. Схемы установок для исследования резисторов.

4. Таблицы экспериментальных данных.

5. Таблицы расчетных параметров и формулы для их определения.

6. Графики вольтамперных характеристик резисторов при различных температурах.

7. Графики зависимостей расчетных параметров резисторов от напряжения.

8. Сводную таблицу паспортных и экспериментально определенных и рассчитанных параметров резисторов.

9. Анализ полученных результатов и выводы по работе.

Примечание. П.п. 2-9 должны быть выполнены и представлены раздельно для каждого из исследованных резисторов - варистора, терморезистора, фоторезистора (в виде модулей).

10. ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПРОВЕРКИ

1. Какие виды полупроводниковых резисторов существуют?

2. Что такое варистор?

3. Из чего и как изготавливают варисторы?

4. Что характерно для внутреннего строения варисторов?

5. Нарисуйте вольтамперную характеристику варистора. Поясните её ход.

6. Каким уравнением можно аппроксимировать участок ВАХ варистора?

7. Какими параметрами характеризуется варистор?

8. Нарисуйте зависимости статического и дифференциального (динамического) сопротивлений варистора от напряжения на нем.

9. Что такое коэффициент нелинейности варистора? Как он зависит от напряжения?

10. Для решения каких технических задач применяются варисторы?

11. Какие разновидности терморезисторов существуют?

12. Из каких материалов изготавливают термисторы, позисторы?

13. Что такое термистор? Нарисуйте его вольтамперную характеристику и поясните её ход.

14. Нарисуйте зависимость сопротивления термистора от температуры. Поясните её ход.

23

15. Нарисуйте и поясните вольтамперную характеристику позистора.

16. Нарисуйте и поясните зависимость сопротивления позистора от температуры.

17. Запишите формулу для определения температурного коэффициента сопротивления терморезистора. Какие величины имеют TKR термисторы, позисторы?

18. Перечислите различные физические механизмы сильной зависимости электропроводности от температуры.

19. Что такое фоторезистор?

20. Запишите выражение для определения темнового тока фоторезистора через параметры полупроводника.

21. Нарисуйте семейство вольтамперных характеристик фоторезистора. Поясните их ход.

22. Нарисуйте и поясните спектральную характеристику фоторезистора.

23. Что такое коэффициент усиления фоторезистора и как это усиление происходит?

24. Нарисуйте зависимости тока фоторезистора от интенсивности светового потока при различных напряжениях на нем. Поясните их отличия.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 4-е изд. М.:Высшая школа, 1987. 479 с.

2. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд. Киев:Технiка, 1984. 424 с.

3. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для техникумов. 2-е изд. М.:Высшая школа, 1979. 279 с.

4. Справочник по основам электронной техники. Б.С.Гершунский, А.В.Романовская, Н.М.Ващенко, В.В.Власенко. Киев: Изд-во Киевского ун-та, 1972. 346 с.

5. Городецкий А.Ф., Кравченко А.Ф. Полупроводниковые приборы: Учебное пособие. М.:Высшая школа, 1967. 348 с.

6. В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 109/ Сост. И.Н.Алексеева. М.:Патриот, 1991. 80 с.

7. Зайцев Ю.В. Марченко А.Н., Ващенко И.И. Полупроводниковые резисторы в электротехнике. М.:Энергоатомиздат, 1986. 136 с.

8. Вольтметр универсальный цифровой В7-20. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. И22.710.005.ТО: 1978. 95 с.

9. Вольтметр цифровой Ф203. Паспорт ЗПБ.349.021 ПС: 1985. 25 с.

24

ПРИЛОЖЕНИЯ

П1. Паспортные параметры варисторов [2]

П2. Паспортные параметры терморезисторов [2]

25

П3. Паспортные параметры фоторезисторов и оптоэлектронных пар [2]

П4. Вольтметр универсальный цифровой В7-20

Предназначен для измерения напряжений постоянного и переменного тока, силы постоянного тока и сопротивлений.

Технические данные:

Напряжение постоянного тока измеряется на 4 поддиапазонах - 1, 10, 100 и 1000 В с дискретностью, равной 0,001 от Uк (конечного значения пределов измерений) с основной погрешностью не более

±(0,5 + 0,1 )% (где Uх - показание прибора).

Сила постоянного тока измеряется на поддиапазонах - 1, 10, 100 и 1000 мА с дискретностью равной 0,1% от Jк, с основной погрешностью не более

±(1 + 0,1 )% .

Активное сопротивление измеряется на поддиапазонах - 1, 10, 100, 1000 кОм с дискретностью 0,1 Rк, с основной погрешностью не более

±(1 + 0,1 )%

Входное сопротивление при измерении напряжений не менее 1 МОм на пределах "1" и "10" и 5 МОм на пределах "100" и "1000".

Время одного измерения не превышает 3 с. Время установления рабочего режима - не более 5 мин.

26

Для использования вольтметра В7-20 необходимо:

- подключить сетевой шнур питания в розетку сети 220 В 50 Гц;

- включить тумблер "Сеть" на передней панели;

- установить переключатель "Род работы" в необходимые положения измеряемых величин (-V, ~ V, мА, кW) и "Предел" измерений в положения 1, 10, 100 или 1000;

- с помощью дополнительных проводников соединить с гнездами на лабораторном стенде сначала вывод "0" (на задней панели вольтметра), затем один из необходимых выводов: "JR" - для измерения тока и сопротивления и "1-10" или "100-1000" - для измерения соответствующего напряжения.

П5. Вольтметр цифровой Ф203

Предназначен для измерения напряжения постоянного тока с высоким быстродействием.

Технические данные:

- диапазоны измерений - 1, 10, 100 В;

- единица младшего разряда равна 0,001 от предела измерения;

- входное сопротивление 1 МОм (на пределах 10 В и 100 В) и 2 МОм (на пределе 1 В);

- вход прибора изолированный;

- прибор показывает полярность напряжения "+" или "-" автоматически;

- класс точности 0,2/0,1;

- основная относительная погрешность измерения (в % от значения измеряемой величины)

d = ±[0,2 + 0,1( )]% ,

где Uк - конечное значение диапазона измерения, V.

Uх - значение измеряемой величины, V.

Для включения вольтметра в схему измерения необходимо

- включить сетевой шнур в розетку сети;

- нажать на передней панели кнопки "сеть", "внутр.синх." и требуемый предел измерения "1V", "10V" или "100V";

- подключить входы вольтметра к точкам измерения.

27
СОДЕРЖАНИЕ

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ 3

2. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ РЕЗИСТОРАХ 3

3. ВАРИСТОР 4

3.1. Устройство, принцип действия, вольтамперная характеристика варистора 5

3.2. Основные параметры варисторов 5

3.3. Характеристики варисторов 7

4. ТЕРМОРЕЗИСТОР 8

4.1. Основные параметры терморезисторов 9

4.2. Характеристики терморезисторов 10

5. ФОТОРЕЗИСТОР 13

5.1. Основные параметры фоторезисторов 13

5.2. Характеристики фоторезисторов 14

5.3. Характеристики и параметры оптронов 17

6. СХЕМА ЛАБОРАТОРНОЙ УСТАНОВКИ 19

7. ЛАБОРАТОРНОЕ ЗАДАНИЕ 20

7.1. Исследование характеристик варистора 20

7.2. Исследование характеристик терморезистора 20

7.3. Исследование характеристик фоторезистора и светодиода (оптоэлектронной пары) 21

8. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ 22

8.1. Варистор 22

8.2. Терморезистор 22

8.3 Фоторезистор 22

9. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА 23

10. ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПРОВЕРКИ 23

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 24

ПРИЛОЖЕНИЯ 25

П1. Паспортные параметры варисторов 25

П2. Паспортные параметры терморезисторов 25

П3. Паспортные параметры фоторезисторов и оптоэлектронных пар 26

П4. Вольтметр универсальный цифровой В7-20 26

П5. Вольтметр цифровой Ф203 27

28

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ РЕЗИСТОРОВ

Составитель: Александр Васильевич Болтаев

Редактор М.Ю.Петров

___________________________________________________________________

Подписано в печать 30.08.99 Формат 60х84 1/16

Бумага типограф. Плоская печать Усл.печ.л. 1,63

Уч.-изд.л. 1,7 Тираж 100 экз. Заказ Цена «С»

____________________________________________________________________

Издательский отдел УГТУ

620002, Екатеринбург, УГТУ, ул. Мира,19