Главная              Рефераты - Разное

Нормативный срок освоения программы 4 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 21. 12. 2009 №745, зарегистрирован в Министерстве юстиции РФ 03. 02. 2010 №16217 Санкт-Петербург - реферат

Министерство образования и науки Российской Федерации

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

сАНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Согласовано

Сопредседатель УМС по направлению 223200

А.Э. Фотиади

(подпись) (ФИО)

"____" ________ 2010 г.

Вариативная часть
Примерной оСНОВНой образовательной программы высшего профессионального образования

по направлению 223200 «Техническая физика»

профиль 4 «Физика и техника полупроводников»

Квалификация выпускника бакалавр

Форма обучения очная .

Нормативный срок освоения программы 4 года

ФГОС ВПО утвержден приказом Минобрнауки России от 21.12.2009 № 745,
зарегистрирован в Министерстве юстиции РФ 03.02.2010 №16217

Санкт-Петербург

2010


Содержание

Введение. 3

1.1 Вариативная часть примерного учебного плана подготовки бакалавра по направлению 223200 «Техническая физика», профиль: «Физика и техника полупроводников». 4

1.2 Компетентностные требования к результатам освоения вариативной части основной образовательной программы (ООП) подготовки бакалавров. 8

1.2.1 Структура, содержание и коды формируемых компетенций. 8

1.2.2 Общекультурные компетенции. 8

1.2.3 Общепрофессиональные компетенции. 8

1.2.4 Компетенции в области научно-исследовательской деятельности. 9

1.2.5 Компетенции в области производственно-технологической деятельности. 9

1.2.6 Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности. 9

1.2.7 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности. 10

1.2.8 Компетенции в области научно-педагогической деятельности. 10

1.2.9 Компетенции в области научно-инновационной деятельности. 10

1.3 Аннотации примерных программ учебных дисциплин вариативной части профессионального цикла профиля. 11

1.3.01 Дисциплина Б3.В.01 Микросхемотехника. 11

1.3.02 Дисциплина Б3.В.02 Физика твердого тела и полупроводников. 13

1.3.03 Дисциплина Б3.В.03 Оптические материалы и технологии. 15

1.3.04 Дисциплина Б3.В.04 Теория оптико-электронных приборов. 17

1.3.05 Дисциплина Б3.В.05 Квантово-размерные системы.. 19

1.3.06 Дисциплина Б3.В.06 Квантовая и оптическая электроника. 21

1.3.07 Дисциплина Б3.В.07 Микро-и оптоэлектроника. 23

1.3.08 Дисциплина Б3.В.08 Введение в специальность. 25

1.3.09 Дисциплина Б3.В.09 Основы менеджмента наукоемких производств. 27

1.3.10 Дисциплины по выбору обучающихся. 29

1.3.10.01 Семинарские занятия. 29

1.3.10.02 Лекционные курсы.. 30

1.3.10.03 Научно-исследовательская работа в лаборатории. 30

Введение

Вариант ПООП разработан для одного из профилей («Физика и техника полупроводников»), который реализуется на кафедре Физики полупроводников и наноэлектроники Радиофизического факультета ГОУ ВПО СПбГПУ. Приведенный набор дисциплин вариативной части всех циклов и дополнительные компетенции по данному профилю не являются обязательными и могут изменяться в ООП вуза в соответствии со специализацией подготовки выпускников в области физики и техники полупроводников. При этом рекомендуется сохранить в ООП объем и распределение по семестрам указанных дисциплин.


1.1 Вариативная часть примерного учебного плана подготовки бакалавра
по направлению 223200 «Техническая физика», профиль: «Физика и техника полупровлдников»

В приведенном плане указана суммарная трудоемкость всех дисциплин базовой и вариативной части циклов Б.1-Б.3 в зачетных единицах и в академических часах, а также рекомендуемое распределение этих дисциплин по семестрам. Пересчет академических часов в зачетные единицы проводился по следующей методике:

1. одна зачетная единица эквивалентна (в среднем по плану) 36 академическим часам. В результате округления до целого это соотношение для разных дисциплин (за исключением физической культуры) может меняться от 34 до 38 часов;

2. текущая и промежуточная аттестация, зачет по дисциплине и курсовые проекты (работы) рассматриваются как вид учебной работы по дисциплине и входят в общую трудоемкость дисциплины; каждый экзамен по дисциплине увеличивает ее трудоемкость примерно на 1 зачетную единицу;

Дисциплины «по выбору студента» являются обязательными, а факультативные дисциплины, предусматриваемые учебным планом вуза, не являются обязательными для изучения студентом и их трудоемкость не оценивается в зачетных единицах.

№ п/п

Наименование дисциплин

(в том числе практик)

Трудоемкость

Примерное распределение по семестрам

Зачетные
единицы

Академические
часы

1-й семестр

2-й семестр

3-й семестр

4-й семестр

5-й семестр

6-й семестр

7-й семестр

8-й семестр

Форма итогового контроля

Примечание

Количество недель

18

17

18

17

18

17

18

13

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

Б.1 Гуманитарный, социальный и экономический цикл

30

1013

Б1.Б

Базовая часть

15

524

+

+

+

+

+

+

Б1.В

Вариативная часть,
в т.ч. дисциплины по выбору студента

15

524

Б1.В.01

Семинар на иностранном языке

7

246

+

+

+

+

З

Б1.В.02

Экономика

3

90

+

З

КПр

Дисциплины по выбору студента

5

188

Б1.В.03

1 Психология и педагогика

2. Русский язык и культура речи

1

51

+

З

Б1.В.04

1. Правоведение

2. Социология

2

72

+

З

Б1.В.05

1. Культурология

2. Политология

2

65

+

З

Б.2 Математический и естественнонаучный цикл

77

2569

Базовая часть

39

1225

Вариативная часть,
в т.ч. дисциплины по выбору студента

38

1344

Б2.В.01

Практикум по математике

9

314

+

+

+

+

З

Б2.В.02

Практикум по информационным технологиям

3

90

+

З

Б2.В.03

Физический практикум

11

386

+

+

+

З

Б2.В.04

Практикум по химии и экологии

3

108

+

З

Б2.В.05

Теория вероятностей и математическая статистика

3

90

+

З

Дисциплины по выбору студента

9

356

Б2.В.06

Семинары по технической физике:

1. Семинар по физике наноразмерных структур.

2. Семинар по физике источников и приемников излучения

3. Семинар по физическим основам наноэлектроники

4. Семинар по фотонике

3

124

+

+

З

Б2.В.07

Дополнительные главы информатики:

1. Теория вычислительных систем.

2. Объектно-ориентированное программирование.

2

72

+

З

Б2.В.08

Дополнительные главы физики :

1 – конденсированного состояния;

2 – наноразмерных структур;

3 – полупроводниковых гетероструктур.

4

160

+

+

З

Б.3 Профессиональный цикл

106

3324

Базовая часть

53

1673

Вариативная часть,
в т.ч. дисциплины по выбору студента

53

1651

Б3.В.01

Микросхемотехника

5

136

+

Э

Б3.В.02

Физика твердого тела и полупроводников

10

297

+

+

Э,З

Б3.В.03

Оптические материалы и технологии

13

360

+

+

Э,З

Б3.В.04

Теория оптико-электронных приборов

3

72

+

Э

Б3.В.05

Квантово-размерные системы

2

65

+

Э

Б3.В.06

Квантовая и оптическая электроника

2

78

+

Э

Б3.В.07

Микро-и оптоэлектроника

2

78

+

Э,З

Б3.В.08

Введение в специальность

3

88

+

+

З

Б3.В.09

Основы менеджмента наукоемких производств

2

78

+

З

Дисциплины по выбору студента

11

399

Б3.В10

Научная работа в лаборатории

1. физики горячих носителей;

2. микро и наноэлектроники;

3. внутреннего фотоэффекта;

4. высокотемпературной сверхпроводимости;

5. органической электроники.

8

297

+

+

З

Б3.В.11

Семинары по физике и технике полупроводников:

1. семинар по физике горячих носителей;

2. семинар по микро и наноэлектронике;

3. семинар по физике полупроводниковых гетероструктур;

4. семинар по высокотемпературной сверхпроводимости;

.

4

126

+

З

Б3.В.12

Специальные дисциплины

1. Физика сверхпроводников;

2. Приборы и методы наноэлектроники

3

102

+

З

1.2 Компетентностные требования к результатам освоения вариативной части основной образовательной программы (ООП) подготовки бакалавров

1.2.1 Структура, содержание и коды формируемых компетенций

Данная ПООП формулирует общекультурные, общепрофессиональные и профессиональные (по видам деятельности) требования к компетенциям выпускника, включающие требования, определяемые ФГОС ВПО по направлению подготовки 223200 «Техническая физика», а также дополнительные требования, сформированные разработчиком с учетом профиля подготовки. При этом в ПООП используются следующие сокращения:

ОК - общекультурные компетенции по ФГОС ВПО;

ДОК – дополнительные общекультурные компетенции, определяемые вузом;

ПК – профессиональные компетенции по ФГОС ВПО;

ДПК – дополнительные профессиональные компетенции, определяемые вузом

1.2.2 Общекультурные компетенции

Таблица 1.1

Общекультурные компетенции

Коды общекультурных компетенций

Дополнительные требования к общекультурным компетенциям

(ДОК-1)

Выпускник готов уважительно и бережно относиться к историческому на­следию и культурным традициям России, толерантно воспринимать соци­альные и культурные различия и особенности других стран

(ДОК-2

Выпускник владеет приемами рационализации жизнедеятельности, ориен­тированными на снижение антропогенного воздействия на природную среду и обеспечение безопасности личности и общества

(ДОК-3)

Выпускник готов использовать в личной жизни и профессиональной дея­тельности этические и правовые нормы, регулирующие межличностные отношения и отношение к обществу, окружающей среде, основные зако­номерности и нормы социального поведения, права и свободы человека и гражданина

(ДОК-4)

Выпускник способен проявлять свои дарования, осмысливать и развивать свои жизненные планы интеллектуального, культурного, нравственного, физического и профессионального саморазвития и самосовершенствования

1.2.3 Общепрофессиональные компетенции

Таблица 1.2

Общепрофессиональные компетенции

Коды компетенций

Дополнительные требования к общепрофессиональным компетенциям

(ДПК-1)

Выпускник готов и способен учитывать тенденции развития современной физики и техники полупроводников в своей профессиональной деятельности.

(ДПК-2)

Выпускник готов и способен использовать фундаментальные законы физики твердого тела и полупроводников, физики полупроводниковых гетероструктур и физики структур пониженной размерности в профессиональной деятельности

(ДПК-3)

Выпускник способен собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать научно-техническую информацию по тематике исследования, использовать достижения отечественной и зарубежной науки, техники и технологии в области физики и техники полупроводников

1.2.4 Компетенции в области научно-исследовательской деятельности

Таблица 1.3

Компетенции в области научно-исследовательской деятельности

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

(ДПК-4)

Выпускник способен строить простейшие физические и математические модели приборов, схем, устройств и установок полупроводниковой электроники различного функционального назначения, а также использовать стандартные программные средства их компьютерного моделирования

(ДПК-5)

Выпускник способен аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок полупроводниковой электроники различного функционального назначения

(ДПК-6)

Выпускник готов анализировать и систематизировать результаты исследований, готовить и представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций

1.2.5 Компетенции в области производственно-технологической деятельности

Таблица 1.4

Компетенции в области производственно-технологической деятельности

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

(ДПК-7)

Выпускник способен выполнять работы по технологической подготовке производства материалов и изделий микро – и наноэлектроники

(ДПК-8)

Выпускник готов организовывать метрологическое обеспечение производства материалов и изделий полупроводниковой промышленности

(ДПК-9)

Выпускник способен осуществлять контроль соблюдения экологической безопасности

1.2.6 Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности

Таблица 1.5

Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности по ФГОС ВПО

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

(ДПК-10)

Выпускник способен проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов

(ДПК-11)

Выпускник готов выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования

(ДПК-12)

Выпускник способен разрабатывать проектную и техническую документацию, оформлять законченные проектно-конструкторские работы

(ДПК-13)

Выпускник готов осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам

1.2.7 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности

Таблица 1.6

Компетенции в области организационно-управленческой деятельности по ФГОС ВПО

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

(ДПК-14)

Выпускник готов участвовать в разработке организационно-технической документации (графиков работ, инструкций, планов, смет и т.п.) и установленной отчетности по утвержденным формам

(ДПК-15)

Выпускник умеет выполнять задания в области сертификации технических средств, систем, процессов, оборудования и материалов

(ДПК-16)

Выпускник владеет методами профилактики производственного травматизма, профессиональных заболеваний, предотвращения экологических нарушений

1.2.8 Компетенции в области научно-педагогической деятельности

Таблица 1.7

Компетенции в области научно-педагогической деятельности по ФГОС ВПО

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

1.2.9 Компетенции в области научно-инновационной деятельности

Таблица 1.8

Компетенции в области научно-инновационной деятельности по ФГОС ВПО

Коды компетенций

Дополнительные требования к профессиональным компетенциям

(ДПК-17)

Выпускник умеет внедрять результаты исследований и разработок и организовывать защиту прав на объекты интеллектуальной собственности


1.3 Аннотации примерных программ учебных дисциплин вариативной части профессионального цикла профиля

1.3.01 Дисциплина Б3.В.01 Микросхемотехника

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 5 зач. ед. (136 часов)

1. Цели изучения дисциплины

Главная цель данного курса - ознакомить студентов с современными микроэлектронными устройствами, подготовить их к самостоятельному проектированию электронных схем, необходимых в научно-исследовательской работе, к дальнейшему углублению и расширению научно-технического образования с помощью специальной литературы.

2. Место дисциплины в учебном плане

Дисциплина Б3.В.01 «Микросхемотехника» изучается в четвертом семестре и опирается на знания, приобретенные при изучении предшествующих дисциплин: Б2.Б.03 «Физика», Б2.Б.01 «Математика», Б3.Б.07.02 «Электронные приборы». Б3.Б.07.03 «Радиотехнические цепи и сигналы». Полученные знания и навыки закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих дисциплин: Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников», Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника», Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», Б3.Б.08. «Метрология и физико-технические измерения» а также в процессе самостоятельной научно-исследовательской работы студентов (Б3.В.10).

В результате изучения дисциплины студенты должны знать основные свойства и методы анализа и расчета линейных и нелинейных электрических цепей, основы схемотехники и микросхемотехники, способы построения и принцип действия электронных устройств.

3. Основные дидактические единицы (разделы)

Разделы программы

Лекции

Практич. занятия

Самост. работа

1. Введение

4

2

2

2. Транзисторы и схемы на их основе

6

6

3. Основы цифровой схемотехники

5

2

10

4. Последовательностные схемы

8

4

10

5. Микросхемы памяти

4

4

4

6. Программируемые микросхемы.

6

2

10

7. Синтезируемые элементы аналоговой схемотехники

12

1

16

8. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи

6

2

10

Итого

В том числе с элементами НИРС – 34 часа

51

17

68

Трудоемкость дисциплины

136

В результате изучения дисциплины студенты должны:

знать:

- активные и пассивные элементы полупроводниковых микросхем;

- физическую структуру, топологию и электрические параметры элементов;

- основные параметры и характеристики ИС;

- основы цифровой схемотехники

уметь:

- использовать полученные знания в своей учебной и профессиональной деятельности;

владеть:

- навыками построения различных устройств на основе цифровых и аналоговых микросхем, в том числе с использованием современного программного обеспечения;

иметь представление

- о роли микросхемотехники в современной науке, технике и технологии;

- об истории ее возникновения, развития и выдающихся ученых;

- о возможных применениях в различных областях науки и о прогнозировании научно-технического прогресса.

4. Объем дисциплины по видам учебной работы и формы контроля

Виды занятий и формы контроля

Объем по семестрам

Лекции, ч/нед

3

Практические занятия, ч.нед

1

Самостоятельные занятия, ч/нед

4

Экзамены, шт/сем

1

Общая трудоемкость дисциплины составляет 136 часов.


1.3.02 Дисциплина Б3.В.02 Физика твердого тела и полупроводников

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 8 зач. ед. (297 часов)

1 Цели и задачи изучения дисциплины

Целью дисциплины является обеспечение фундаментальных знаний и навыков в области физики твёрдого тела и физики полупроводников.

2. Место дисциплины в рабочем учебном плане

Дисциплина Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика» и параллельно читаемые курсы «Квантовая механика», «Методы математической физики». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих специальных дисциплин Б3.В.05 «Квантово-размерные системы», Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.

Разделы дисциплины по РПД

Объем занятий, час

Л

ПЗ

СР

1

Структура и симметрия идеальных и реальных кристаллов

10

5

5

2

Основные типы дефектов кристаллической структуры

10

5

5

3

Дифракция в кристаллах и обратная решетка

6

4

6

4

Упругие колебания в кристаллах, оптические и акустические фононы

6

2

4

5

Тепловые свойства кристаллов

6

3

2

6

Модель свободных электронов

6

3

2

7

Основы зонной теории, классификация твердых тел

8

4

2

8

Статистика электронов

6

4

4

9

Диэлектрические и магнитные свойства, ферромагнетизм; сегнетоэлектрики.

6

2

3

10

Оптические свойства;

6

3

3

11

Сверхпроводимость

6

3

3

12

Собственная и примесная проводимость полупроводников; основные полупроводниковые материалы

4

2

2

13

Некристаллические полупроводники

8

4

2

14

Диффузия и дрейф носителей

8

3

3

15

Генерация и рекомбинация

6

3

5

16

Контактные явления

6

3

7

17

Электронно-дырочный переход; гетеропереходы

8

4

6

18

Поверхностные электронные состояния; эффект поля

6

3

7

19

Фотоэлектрические и акустоэлектронные явления

6

4

5

20

Оптика полупроводников

6

3

5

21

Сильно легированные полупроводники

6

3

3

Общая трудоемкость 297 час.

140

70

87

В результате изучения дисциплины студенты должны:

Знать:

- основные физические явления в твердом теле, их теоретическое истолкование, применения в технике и практике научно-исследовательской работы;

- основы метрологии, методологии наблюдений и экспериментального исследования явлений в твердых телах и определения их физических параметров;

- физическую сущности процессов, протекающих в проводящих, полупроводниковых, диэлектрических, магнитных материалах и в структурах, созданных на основе этих материалов, в том числе и при воздействии внешних полей и изменении температуры.

Уметь:

- выполнять количественные оценки величины эффектов и характеристических параметров с учётом особенностей кристаллической структуры, электронного и фононного спектров, типа и концентрации легирующих примесей;

- самостоятельно осваивать и грамотно использовать результатов новых экспериментальных и теоретических исследований в области физики твёрдого тела и полупроводников;

- самостоятельно выбирать методы и объекты исследований

Владеть:

- навыками использования методов количественной оценки основных твердотельных характеристик.

Иметь представление:

- о современных тенденциях в развитии физики твёрдого тела и полупроводников, приборов и устройств на их основе.

4. Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля

Виды занятий и формы контроля

Объем по семестрам

5-й сем.

6-й сем.

Лекции (Л), час/нед.

4

4

Практические занятия (ПЗ), час/нед.

2

2

Самостоятельная работа (СР), час.нед.

2

3

Курсовые работы, шт.

-

1

Экзамены, (Э), шт.

1

1

Общая трудоемкость дисциплины составляет по РПД 297 часов.


1.3.03 Дисциплина Б3.В.03 Оптические материалы и технологии.

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 13 зач. ед. (360 часов)

1. Цели и задачи изучения дисциплины

Целью изучения дисциплины является формирование у студента профессиональных компетенций в области оптических материалов и технологий, основанных на усвоении современных представлений о теоретических основах материаловедения и общих физико-химических закономерностях технологических процессов, используемых в современной электронике.

2. Место дисциплины в рабочем учебном плане

Дисциплина Б3.В.03 «Оптические материалы и технологии» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах.Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика», «Химия», «Электронные приборы» и «Физика твердого тела и полупроводников». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих специальных дисциплин Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.

  1. Основные дидактические единицы (разделы)

Разделы программы

Объемы занятий, часов

Лекции

Практич. занятия

Самост. работа

5 семестр

1.Введение

2.Классификация материалов электронной техники

3.Элементы геометрической кристаллографии

4.Химическая связь в кристаллах

5.Геометрические факторы определяющие структуру кристаллов

6.Основные типы кристаллических структур

7.Проводящие материалы

8.Полупроводниковые материалы

9.Диэлектрические материалы

10.Магнитные материалы

2

5

5

7

8

5

10

10

5

1

2

3

4

4

2

4

4

4

6

1

6

6

8

8

10

10

12

11

12

Итого

54

36

90

7-й семестр

1. Введение

2. Основы теории фазовых равновесий в гетерогенных системах

3. Методы получения полупроводниковых соединений

4. Технология получения материалов высокой чистоты

5. Технология выращивания кристаллов и пленок материалов электронной техники

6. Термодинамика фаз переменного состава. Методы получения соединений с контролируемой концентрацией носителей тока

7. Гетерогенные равновесия в тройных системах

8. Технология керамических и стеклообразных материалов электронной техники

1

7

6

6

7

6

5

6

6

4

9

4

4

4

4

4

3

2

1

10

6

10

12

8

10

10

10

10

Итого

54

36

90

Общая трудоемкость дисциплины

360

В результате изучения дисциплины студенты должны:

- Знать основные законы геометрической кристаллографии; операции и элементы симметрии, свойства полупроводниковых и диэлектрических кристаллов, Теорию фазовых равновесий в гетерогенных системах, методы получения полупроводниковых соедмнений, методы получения материалов высокой чистоты, технологию получения полупроводниковых кристаллов и пленок, керамик, материалов в стеклообразной форме

- Уметь использовать полученные знания для решения типичных задач технологии и техники полупроводников, для очистки, синтеза и кристаллизации веществ различных классов, использовать аналитические и численные методы, пользуясь современным программным обеспечением.

- Владеть навыками проведения расчетов простейших гетерогенных систем.

- Иметь представление о роли изучаемых процессов в современной науке, технике и технологии, об истории их исследования и выдающихся ученых, о возможных применениях в различных областях науки (включая проблемы разработки устройств для обеспечения жизнедеятельности и решения экологических задач) и о прогнозировании научно-технического прогресса.

4. Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля

Виды занятий и формы контроля

Объем по семестрам

5-й сем.

7-сем.

Лекции (Л), час.

54

54

Практические занятия (ПЗ), час.

36

36

Самостоятельная работа (СР), час.

90

90

Курсовые проекты (КП), шт.

1

-

Расчетные задания, шт.

-

1

Зачеты, (З), шт.

1

-

Экзамены, (Э), шт.

1

Общая трудоемкость дисциплины составляет 360 часов.

1.3.04 Дисциплина Б3.В.04 Теория оптико-электронных приборов

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 3 зач. ед. (72 часа)

1. Цели и задачи изучения дисциплины

Целью изучения дисциплины является формирование у студента профессиональных компетенций в области - фундаментальных основ оптико-электронных приборов, необходимых для подготовки бакалавров, способных к исследованию, разработке, использованию и производству оптико-электронных приборов как в научных лабораториях, так и в условиях производства, другой практической деятельности.

2. Место дисциплины в рабочем учебном плане

Дисциплина Б3.В.04 «Теория оптико-электронных приборов» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физико и технико полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в седьмом семестре. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика», «Математическая физика», «Электродинамика» и «Квантовая механика». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующей дисциплины Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области физики и техники полупроводниковых оптико-электронных приборов и ее приложений, в частности, систем передачи и приема информации.

3. Основные дидактические единицы (разделы)

Разделы дисциплины по РПД

Объем занятий, час

Л

ПЗ

СР

1

Основные уравнения теории полупроводниковых приборов

2

2

2

2

Электронные процессы и контактные явления в полупроводниках

8

3

3

3

Энергетические диаграммы полупроводников и полупроводниковых структур

8

4

4

4

Фото- и светодиоды

10

4

4

5

Поверхность полупроводника, полевые приборы

6

3

3

6

Приборы на квантово-размерных эффектах

2

2

2

Общая трудоемкость 72 час

36

18

18

В результате изучения дисциплины студенты должны:

знать:

- физические основы теории оптико-электронных приборов;

- принципы создания и механизмы работы важнейших типов оптико-электронных приборов;

уметь:

- экспериментально и теоретически оценивать достижимые характеристики основных типов электронных и оптико-электронных ;

- оценивать области возможного их применения;

владеть:

- навыками практического использования и разработки оптико-электронных устройств различного назначения;

Иметь представление:

- об использовании результатов теоретических разработок оптико-электронных приборов практической деятельности;

- об основных научно-технических проблемах и перспективах развития оптико-электронных приборов.

4. Объем дисциплины по видам учебной работы и формы контроля

Виды занятий и формы контроля

Объем по семестрам

7-й семестр

Лекции, ч/нед

2

Практические занятия, ч/нед

1

Самостоятельные занятия, ч/нед

1

Экзамены, шт/сем

1

Общая трудоемкость дисциплины составляет 72 часа.


1.3.05 Дисциплина Б3.В.05 Квантово-размерные системы

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 2 зач. ед. (65 часов)

1. Цели и задачи изучения дисциплины

Целью дисциплины является усвоение студентами знаний и навыков в области физики и технологии низкоразмерных систем, понимании основных свойств системы с пониженной размерностью, использующихся как при физических исследованиях, так и при проектировании и создании устройств на основе низкоразмерных структур. Особое внимание уделяется качественному и количественному сравнению различных эффектов, возникающих в объемных материалах и системах с пониженной размерностью.

2. Место дисциплины в учебном плане

Дисциплина Б3.В.05 «Квантово-размерные системы» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физическая электроника» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в седьмом семестре. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика», «Математическая физика», «Теоретическая физика», , «Физика твердого тела и полупроводников» и «Теория оптико-электронных приборов». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.

Разделы дисциплины по РПД

Объем занятий, час

Л

ПЗ

СР

1

Введение

1

0

0

2

Размерное квантование и квантово-размерные структуры

8

2

4

3

Технология квантово-размерных структур

5

2

4

4

Свободные и связанные носители в структурах с пониженной размерностью

6

2

4

5

Кинетические эффекты в квантово-размерных системах

5

2

4

6

Оптические свойства квантовых ям

10

2

4

7

Двухмерный электронный газ в сильном магнитном поле

4

3

6

Общая трудоемкость 65 час

39

13

26

В результате изучения дисциплины студенты должны:

Знать и уметь использовать:

- особенности физических свойств систем с пониженной размерностью и методов их теоретического описания.

- технологию создания структур с пониженной размерностью, включающую как традиционные методы микроэлектроники, так и специфические технологические процессы, разработанные в последние годы для получения низкоразмерных структур.

- уметь выполнять количественные расчеты параметров низкоразмерных систем на базе математического аппарата квантовой механики.

владеть:

- стандартной терминологией, определениями и обозначениями;

- методами обоснованного выбора исследовательского оборудования, оценкой эффективности его работы и адекватности поставленной конкретной задаче;

- анализом и оценкой полученных результатов и аргументацией для подтверждения сделанных на их основе выводов и принятых решений;

- рациональными методами анализа и обработки научно-технической информации;

Иметь представление:

- о связи между фундаментальными свойствами систем с пониженной размерностью и методами их практического использования.

- об основных научно-технических проблемах и перспективах развития современной низко-размерных систем;

- о создании квантово-размерных приборов и устройств с качественно новыми характеристиками и о разработке принципиально новых технологий;

- о взаимосвязи теории и технологии квантово-размерных систем со смежными областями науки и техники..

4. Объем дисциплины по видам учебной работы и формы контроля

Виды занятий и формы контроля

Объем в 8 семестре

Лекции, ч/нед

2

Практические занятия, ч/нед

1

Курсовая работа, шт.

1

Самостоятельная работа, ч/нед

2

Экзамен, шт./сем.

1

Общая трудоемкость дисциплины составляет 65 часов


1.3.06 Дисциплина Б3.В.06 Квантовая и оптическая электроника

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 2 зач. ед. (78 часов)

1. Цели и задачи дисциплины.

Цель дисциплины – формирование у студентов таких компетенций, которые были бы достаточны для дальнейшей их самостоятельной работы в области квантовой и оптической электроники, для самостоятельного анализа процессов в существующих приборах квантовой и оптической электроники и для прогнозирования этих процессов при создании новых типов приборов. В данной дисциплине основное внимание сосредоточено на изучении фундаментальных физических принципов, лежащих в основе современных приборов квантовой электроники, на изложении классических и современных достижений теории лазеров. Анализируются научные и технические достижения, реализованные в различных типах лазеров.

Задачи изучения курса: научить студентов использовать полученные знания при расчете основных характеристик приборов, конструировании их модификаций и использовании приборов в разных областях науки и техники, напомнить о важной роли российских ученых в становлении и развитии квантовой и оптоэлектроники, научить студентов детальному анализу сложных физико-технических систем, начиная от основных физических принципов, лежащих в основе их работы, а также показать студентам, как можно успешно применить на практике результаты изученных ими ранее фундаментальных теоретических дисциплин, доказать им ценность и необходимость глубоких знаний этих дисциплин, сформировать понимание единства и неразрывности фундаментальных естественных наук и современных технических и технологических достижений.

2. Место дисциплины в системе дисциплин учебного плана

Для студентов профиля «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров 223200 «Техническая физика» дисциплина Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» входит в вариативную часть профессионального цикла ООП. Дисциплина читается в 8-м семестре и опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Математика», «Физика», «Теоретическая физика», «Физика твердого тела и полупроводников», «теория оптико-электронных приборов». Знания, полученные студентами при изучении настоящего курса, используются в дальнейшем при прохождении семинаров и лабораторий по НИР, выполнении выпускных работ.

3. Основные дидактические единицы (разделы)

Разделы дисциплины по РПД

Объем занятий, час

Л

ПЗ

СР

1

Введение в оптическую квантовую электронику

2

0

0

2

Взаимодействие излучения с веществом

7

2

4

3

Оптические резонаторы

6

2

4

Режимы работы лазеров

6

2

4

4

Управление параметрами лазерного излучения

6

2

4

5

Инжекционные лазеры на гомо- и гетеропереходах

6

2

4

6

Лазеры с распределенной обратной связью

6

3

6

Общая трудоемкость 78 час

39

13

26

В результате изучения дисциплины студенты должны:

знать:

- физические основы оптической квантовой электроники;

- принципы конструирования различных классов полупроводниковых гомо- и гетеролазеров и систем на их основе;

- особенности практического использования лазерного излучения в различных областях науки и техники;

уметь:

- применять на практике лазеры и светодиоды как самостоятельные приборы и как элементы различных систем.

- критически оценивать достоинства, недостатки и области возможного применения новых научных и технических разработок, реализованных в различных полупроводниковых лазеров;

- выполнять критический анализ результатов исследований в области квантовой электроники;

- оценивать практическую реализуемость лазера с предъявляемыми техническими параметрами;

- использовать основные принципы математического моделирования лазеров, необходимые для создания новых типов этих приборов;

иметь навыки:

- анализа и оптимизации большого комплекса факторов, влияющих на работу современных приборов квантовой электроники;

- устных сообщений о результатах проведенного анализа и участия в научной дискуссии;

иметь представление

- об основных физических принципах работы лазеров, о комплексном подходе к изучению сложных систем.

4. Объем дисциплины по видам учебной работы и формы контроля

Виды занятий и формы контроля

Объем по семестрам

8-й семестр

Лекции, ч/нед

2

Практические занятия, ч/нед

1

Самостоятельные занятия, ч/нед

2

Экзамены, шт/сем

1

Общая трудоемкость дисциплины составляет 78 часов.


1.3.07 Дисциплина Б3.В.07 Микро-и оптоэлектроника

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 2 зач. ед. (78 часов)

I. Цели и задачи изучения дисциплины

Целью изучения дисциплины является формирование у студента профессиональных компетенций в области микро- и оптоэлектроники, способствующих социальной мобильности, конкурентоспособности и устойчивости на отечественном и мировом рынке труда и основанных на усвоении современных представлений о физических основах процессов и методов, используемых в нанотехнологии и о свойствах и типах наноразмерных обектов микро- и оптоэлектроники.

2. Место дисциплины в системе дисциплин учебного плана

Для студентов профиля «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров 223200 «Техническая физика» дисциплина Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника» входит в вариативную часть профессионального цикла ООП

Дисциплина читается в 8-м семестре и опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Электронные приборы», «Материаловедение и технология конструкционных материалов», «Физика твердого тела и полупроводников». Результаты изучения дисциплины необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы и подготовки выпускной работы бакалавра технической физики, а также для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.

3. Основные дидактические единицы (разделы)

Разделы дисциплины по РПД

Объем занятий, час

Л

ПЗ

СР

1

Введение. Типы ИС.

1

1

1

2

Физико-технологические основы микроэлектроники

6

3

6

3

Базовые операции микро- и оптоэлектроники, тенденции и перспективы их совершенствования

8

2

3

4

Технологические возможности масштабирования МОП-структур.

4

2

4

5

Тонкопленочные технологии

3

2

4

6

Развитие технологии межэлементных соединений и упаковки ИС

2

0

0

7

Биполярные и МОП структуры с субмикронными размерами

3

2

4

8

Интегральные схемы на А3Б5

6

0

2

9

Функциональная микроэлектроника

4

1

2

10

Органическая микроэлектроника

2

0

0

Общая трудоемкость 78 час

39

13

26

В результате изучения дисциплины студенты должны:

знать:

- перспективы и направления развития микроэлектроники, технологические и физические ограничения степени интеграции микросхем.

- физические основы, возможности и способы реализации устройств микро- и оптоэлектроники в технической физике;

- основные тенденции развития современной технологии микро- и наноэлектроники;

- перспективы применения новых материалов и технологических процессов в микро- и нанотехнологии.

уметь:

_

выбрать метод и рассчитать параметры элементов микросхем, уметь прогнозировать направление развития основных технологических процессов изготовления СБИС;

- критически оценивать достоинства, недостатки и области возможного применения новых материалов и технологических процессов;

- находить пути оптимального решения конкретных задач микро и нанотехнологии.

иметь навыки:

- творческой работы по анализу физических явлений в интегральных схемах, изучения по учебной, обзорной и научной литературе принципов действия, методов изготовления и способов применения элементов интегральных схем;

- подготовки рефератов по конкретным направлениям развития современной микро и нанотехнологии;

- устных сообщений о результатах проведенного анализа и участия в научной дискуссии.

Перечисленные цели и задачи имеют междисциплинарный характер и входят как составная часть в общие цели и задачи основной образовательной программы, обеспечивающей опережающую подготовку бакалавров и магистров с ориентацией на реальные потребности работодателей в квалифицированных и компетентных специалистах, владеющих наукоемкими технологиями мирового уровня.

4 Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля

Виды занятий и формы контроля

8-й сем.

Лекции (Л), час.

39

Практические занятия (ПЗ), час.

13

Самостоятельная работа (СР), час.

26

Курсовые проекты (КП), шт.

1

Зачеты, (З), шт.

1

Экзамены, (Э), шт.

1

Общая трудоемкость дисциплины составляет 78 часов


1.3.08 Дисциплина Б3.В.08 Введение в специальность

Общая трудоемкость дисциплины составляет 3 зач. ед. (88 часов)

1. Цели и задачи изучения дисциплины

Целью преподавания дисциплины является подготовка квалифицированных специалистов, способных на основе полученных знаний к активной творческой работе в области современной физической электроники как в научно-исследовательских учреждениях, так и в условиях промышленного производства.

2. Место дисциплины в рабочем учебном плане

Дисциплина Б3.В.08 «Введение в специальность» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах (1 семестр – практические занятия, 2 семестр – лабораторный практикум). Дисциплина опирается на знания по физике и математике, полученные в средней школе и на 1-м курсе университета. Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения параллельных и последующих дисциплин Б2.В.03 «Физический практикум», Б3.Б.07 «Электроника», Б3.Б.08 «Метрология и физико-технические измерения», «Б3.Б.10 Экспериментальные методы исследований» и всех дисциплин вариативной части профессионального цикла, программы которых предусматривают проведение лабораторных работ, а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы и подготовки выпускной работы.

3. Основные дидактические единицы (разделы)

Разделы дисциплины по РПД

Объем занятий, час

Лаб

ПЗ

СР

1

Место физики и техники полупроводников в технической физике

2

6

14

2

Основные представления о полупроводниковых материалах

2

4

4

3

Основные представления о роли и характеристиках полупроводниковых приборов

2

6

5

4

Роль физического эксперимента в физике и технике полупроводников

3

4

4

5

Основы оптических методов исследований и аппаратура

4

6

4

6

Спектральные методы

4

10

4

Общая трудоемкость 88 час

17

36

35

В результате изучения дисциплины студенты должны:

знать:

- роль физики и техники полупроводников в развитии инновационных технологий технической физики

- физические основы работы полупроводниковых приборов;

- характеристики и параметры основных типов полупроводниковых приборов, особенности их использования и применения;

уметь:

- подобрать элементную базу и тип приборов, наиболее подходящие для решения конкретной научно-технической задачи;

- проводить обработку экспериментальных данных, оценивать точность и погрешность измерений;

- использовать измерительные приборы в оптимальных режимах работы;

владеть:

- навыками анализа характеристик и перспектив использования полупроводниковых приборов различных типов;

иметь представление

- об основных перспективах дальнейшего развития полупроводниковой техники.

4. Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля

Виды занятий и формы контроля

1-й семестр

2-й семестр

Практические занятия, ч/нед

2

-

Лабораторные занятия, ч/нед

-

1

Самостоятельные занятия, ч/нед

1

1

Зачеты, шт/сем

1

1

Общая трудоемкость дисциплины составляет 88 час

54

34


1.3.09 Дисциплина Б3.В.09 Основы менеджмента наукоемких производств

Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 2 зач. ед. (78 часов)

1. Цели и задачи изучения дисциплины

Целью изучения дисциплины является усвоение студентами современных представлений о современных способах организации производства, ориентированного на использование наукоёмких технологий и методов управления таким производством.

2. Место дисциплины в рабочем учебном плане

Дисциплина Б3.В.09 «Основы менеджмента наукоемких производств» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в 8 семестре. Курс опирается на знания, полученные при изучении предшествующих дисциплин гуманитарного и профессионального циклов. Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе самостоятельной научно-исследовательской работы, при подготовке выпускной работы. Эти знания необходимы также для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий и для его дальнейшего профессионального роста.

3. Основные дидактические единицы (разделы)

Разделы дисциплины по ППД

Объем занятий, час

Л

С

Микроэкономика. Рынок. Спрос и предложение. Потребительские предпочтения и предельная полезность.

4

2

Факторы спроса. Предложение и его факторы. Виды издержек. Фирма. Роль государства.

4

4

Инвестиции. Государственные расходы и налоги.

2

2

Подготовка и организация высокотехнологичного производства

4

4

Оперативное планирование производства

4

4

Менеджмент и информационное обеспечение

4

4

Методы разработки и принятия управленческих решений

4

4

Методы управления персоналом, рациональная организация труда

6

4

Профессиональная адаптация и деловая карьера на предприятии.

4

4

Система менеджмента качества

6

4

Всего

42

36

В результате изучения дисциплины студенты должны:

Знать:

- способы организации работы научно-производственного коллектива; методы разработки планов производственных работ с использованием наукоёмких технологий и управления ходом их выполнения;

Уметь:

- находить оптимальные решения при создании наукоёмкой продукции с учетом требований качества, стоимости, сроков исполнения, конкурентоспособности и безопасности жизнедеятельности

Владеть:

- навыками организации работы исполнителей;

- навыками нахождения и принятия управленческих решений.

- Иметь представление:

- о способах координации работы персонала для комплексного решения инновационных проблем;

- о роли изучаемых проблем в современном наукоёмком производстве.

4. Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий
и формы контроля

Виды занятий и формы контроля

Объем по семестрам

8 семестр

Лекции (Л), час.

42

Практические занятия (ПЗ), час.

-

Самостоятельная работа (СР), час.

36

Курсовые работы (КР), шт.

-

Зачеты, (З), шт.

1

Экзамены, (Э), шт.

Общая трудоемкость дисциплины составляет 78час. (2 зач. ед.)


1.3.10 Дисциплины по выбору обучающихся

В соответствии с требованиями ФГОС ВПО дисциплины этой группы предусмотрены во всех трех циклах учебного плана, а их суммарный объем составляет одну треть вариативной части ООП. Дисциплины по выбору обучающихся – наиболее гибкая форма обучения студентов, позволяющая оперативно учитывать результаты развития науки, культуры, экономики, техники, технологий и социальной сферы, и в соответствии с этим ежегодно обновлять основные образовательные программы, как этого требует ФГОС ВПО.

В ООП по данному профилю предусмотрено три типа дисциплин по выбору обучающихся: семинарские занятия, лекционные курсы и научно-исследовательская работа в лаборатории.

1.3.10.01 Семинарские занятия

Одной из основных активных форм обучения профессиональным компетенциям, связанным с ведением того вида деятельности, к которым готовится бакалавр, является семинар, продолжающийся на регулярной основе не менее двух семестров.

Семинарские занятия по нескольким тематикам, соответствующим наиболее актуальным научным направлениям профиля, выбранными студентами, предусмотрены во всех трех циклах вариативной части учебного плана ООП:

- Б.1: семинар на иностранном языке;

- Б.2: семинар по технической физике:

- Б.3: семинар по профессиональным вопросам профиля.

Семинар является одной из форм активного приобретения студентами знаний по избранной специальности и служит дополнением к лекционным занятиям и практике в научно-исследовательских лабораториях кафедр. На семинарах студенты делают доклады по материалам оригинальных работ, публикуемых в отечественных и зарубежных периодических изданиях.

Студент должен

знать иностранный язык, техническую и научную терминологию, методы современного физического эксперимента, новейшие и классические измерительные приборы и устройства, лабораторные препаративно-технологические приемы, методы математического планирования эксперимента

уметь: систематически работать над периодической научной литературой, критически осмысливать и обобщать изучаемый материал, грамотно и четко излагать свои мысли.

В процессе подготовки и обсуждения докладов студенты приобретают навыки систематической работы над периодической научной литературой, критического осмысливания и обобщения изучаемого материала, учатся грамотно и четко излагать свои мысли, овладевают технической и научной терминологией, закрепляют и совершенствуют свои познания в иностранных языках.

Доклады являются одной из форм подготовки к преподавательской деятельности. Семинар – гибкая форма обучения студентов, позволяющая ознакомить их с новейшими достижениями науки и техники. Одной из основных задач семинара является привитие навыков самостоятельной работы с научной литературой.

Ежегодно обновляемый список тем, предлагаемых к рассмотрению на семинаре, составляется руководителем семинара и утверждается заведующим кафедрой перед началом каждого семестра.

Программа семинара связана с учебным планом, а темы семинарских занятий дополняют и развивают некоторые вопросы лекционных курсов. Темы семинара избираются с учетом полученных студентами знаний в течение обучения На последнем восьмом семестре для докладов рекомендуются темы выпускных работ бакалавров или близкие к ним.

При проведении семинаров по профессии предусматривается возможность привлечения ведущих исследователей и специалистов-практиков, а также встреч с представителями российских и зарубежных компаний, государственных и общественных организаций, мастер-классы экспертов и специалистов.

1.3.10.02 Лекционные курсы

Элективные лекционные курсы предусмотрены во всех трех циклах вариативной части ООП. Перечень соответствующих дисциплин ежегодно обновляется и, в соответствии с требованиями ФГОС ВПО, утверждается ученым советом вуза.

1.3.10.03 Научно-исследовательская работа в лаборатории

Работа студентов в исследовательских лабораториях по выбранному научному направлению профиля преследует цель приобретения навыков самостоятельной научной работы, умения ставить и решать отдельные конкретные задачи, возникающие в экспериментальных исследованиях в области прикладной и технической физики. Указанные цели достигаются путем практической работы студентов под непосредственным руководством преподавателей и научных сотрудников в лабораториях кафедр, научно-исследовательских институтов, а также в других организациях. Как правило, тематика НИР определяется, прежде всего, проводимыми на кафедрах научными исследованиями и продолжает циклы профессиональных дисциплин.

В результате изучения дисциплины студенты должны:

знать: методы современного физического эксперимента, новейшие и классические измерительные приборы и устройства и их практическое применение; лабораторные приемы по изготовлению образцов; методы математического планирования эксперимента, обработки и анализа опытных данных, методы ведения текущей научно-технической документации и подготовки отчетной информации;

уметь: систематически работать над периодической научной литературой, критически осмысливать и обобщать изучаемый материал, грамотно и четко излагать свои мысли, ставить и решать отдельные конкретные задачи, возникающие в экспериментальных исследованиях, выполнить несложный монтаж или наладку измерительной и препаративно-технологической аппаратуры, выполнять экспериментальные измерения характеристик конкретных изучаемых объектов, осуществлять графическое построение экспериментальных зависимостей с использованием прикладных компьютерных программ, проводить анализ и интерпретацию полученных результатов.

иметь навыки: самостоятельной работы с научной литературой, выступления перед аудиторией, самостоятельной работы на исследовательском оборудовании

Разделами учебной дисциплины могут являться:

- Введение. Инструктаж по технике безопасности.

- Изучение литературных источников: отчетов, журнальных статей, монографий по тематике научной лаборатории.

- Монтаж или наладка измерительной и препаративной или технологической аппаратуры.

- Отработка методики работы на стандартном оборудовании.

- Проведение измерений характеристических параметров изучаемых объектов при различных внешних воздействиях, графическое построение экспериментальных зависимостей, сопоставление с аналогичными зависимостями, известными из литературы.