Главная Рефераты - Радиотехника
Рисунок 4.4.3 В данной схеме транзистор VT2 используется в качестве элемента термостабилизации. Ток
коллектора VT2 является базовым током смещения. Здесь
|
Коэффициент усиления каскада на транзисторе VT2 в области верхних частот можно описать выражением:
где
RВХН
–нормированное входное сопротивление транзистора VT2;
Для расчета элементов воспользуемся формулами:
С помощью таблицы получены следующие нормированные значения элементов.
Денормируя полученные значения, определим:
В усилительных каскадах расширение полосы пропускания связано с потерей части выходной мощности в резисторах корректирующих цепей (КЦ) либо цепей обратной связи. От выходных каскадов усилителей требуется, как правило, получение максимально возможной выходной мощности в заданной полосе частот. Из теории усилителей известно, что для выполнения указанного требования необходимо реализовать ощущаемое сопротивление нагрузки для внутреннего генератора транзистора равным постоянной величине во всем рабочем диапазоне частот. Этого можно достигнуть, включив выходную емкость транзистора в фильтр нижних частот, используемый в качестве
Рисунок 4.5.2
Использование фильтра нижних частот в качестве
выходной КЦ при одновременном расчете элементов L1, C1 по
методике Фано позволяет обеспечить минимально возможное, соответствующее
заданным CВЫХ и fB, значение максимальной величины модуля коэффициента отражения
Далее
находим по таблице 7.1 приведённой в [1] значения
5 Расчет предоконечного каскада
Расчет рабочей точки предоконечного каскада производится по тем же формулам что и оконечный, только ток рабочей точки вычисляется по формуле
где
Произведем расчет схем замещения по формулам (4.8-4.13).
Произведем расчет схемы термостабилизации и цепи питания. В этом каскаде также применена эмиттерная термостабилизация. Для расчета используем формулы (4.14-4.18).
Для расчета межкаскадной корректирующей цепи четвертого порядка выберем
транзистор входного каскада. В входном каскаде используется транзистор КТ939А.
Данные из таблицы для каскада с подъемом в 0 дБ с искажением
Денормируя полученные значения, определим:
6 Расчет входного каскада.
Расчет выходного каскада производится по тем же формулам что и оконечный.
В данном каскаде используется транзистор КТ939А.
Расчет эквивалентных схем замещения произведем по формулам (4.8-4.13):
Произведем расчет схемы термостабилизации и цепи питания. В этом каскаде применена эмиттерная термостабилизация. Для расчета используем формулы (4.14-4.18).
Расчет входной корректирующей цепи четвертого порядка.
Денормируя полученные значения, определим:
7 Расчет разделительных и блокировочных ёмкостей
Рассчитаем максимальные искажения, вносимые разделительными и блокировочными ёмкостями в области низких частот. Так как значение искажений задано 1,5 дБ то на разделительные и блокировочные ёмкости должно приходится искажений по 0,75 дБ. Рассчитаем искажения приходящуюся на каждую ёмкость и переведём эти значения в разы.
Рассчитаем разделительные ёмкости по формуле [3]:
где
Произведем расчет блокировочных емкостей по формуле [3]:
где
где
Для уменьшения искажений последовательно с разделительной емкостью включим
дополнительное сопротивление параллельно емкости
где
Так
же включим
|
|||||||||||
|
|||||||||||
|
РТФ КП 468730.001.ПЗ |
||||||||||
|
|||||||||||
|
Лит |
Масса |
Масштаб |
||||||||
Изм |
Лист |
Nдокум. |
Подп. |
Дата |
|||||||
Выполнил |
Кузнецов |
|
УCИЛИТЕЛЬ-КОРРЕКТОР | ||||||||
Проверил |
Титов |
|
|
||||||||
|
|
Лист |
Листов |
||||||||
|
ТУСУР РТФ |
||||||||||
|
Принципиальная |
Кафедра РЗИ |
|||||||||
|
Схема |
гр. 148-3 |
|||||||||
Позиционные Обозначения |
Наименование |
Кол |
Примечание |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Конденсаторы ОЖ0.460.203 ТУ |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С1 |
КД-2-750пФ±5% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С2 |
КД-2-39пФ±5% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С3 |
КД-2-30пФ±5 |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С4 |
КД-2-2нФ±5% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
C5,С13,С16 |
КД-2-8,2пФ±5% |
3 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С6,С11 |
КД-2-470пФ±5% |
2 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С7,с12 |
КД-2-18пФ±5% |
2 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С8 |
КД-2-6,2пФ±5% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С9 |
КД-2-15нФ±5% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С10 |
КД-2-1,1нФ±5% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С14 |
КД-2-30нФ±5% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
С15 |
КД-2-290пФ±5% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Индуктивности |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L1 |
Индуктивность 44нГн±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L2 |
Индуктивность 5,8нГн±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L3 |
Индуктивность 2,21мкГн±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L4 |
Индуктивность 75нГн±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L5 |
Индуктивность 16нГн±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L6 |
Индуктивность 3,75мкГн±10% ±10±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L7 |
Индуктивность 57нГн±10% |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L8 |
Индуктивность 13нГн±10% |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L9 |
Индуктивность 2мкГн±10% |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
L10 |
Индуктивность 19нГн±10% |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
Резисторы ГОСТ 7113-77 |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R1 |
МЛТ–0,125-56Ом±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R2,R8 |
МЛТ–0,125-2,4кОм±10% |
2 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R3 |
МЛТ–0,125-7,5кОм±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R4 |
МЛТ–0,125-6,2кОм±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R5 |
МЛТ–0,125-470Ом±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R6 |
МЛТ–0,125-91Ом±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R7 |
МЛТ–0,125-6,8кОм±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R9 |
МЛТ–0,125-2кОм±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R10 |
МЛТ–0,125-150Ом±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R11 |
МЛТ–0,125-68Ом±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R12 |
МЛТ–0,125-430Ом±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R13 |
МЛТ–0,125-1кОм±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R14 |
МЛТ–0,125-820Ом±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
R15 |
МЛТ–0,125-60Ом±10% |
1 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Транзисторы |
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||
V1,V2,V3 |
КТ939А |
3 |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||
|
РТФ КП 468730.001 ПЗ |
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Лит |
Масса |
Масштаб |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
Nдокум. |
Подп. |
Дата |
|
||||||||||||||||||||||||||||
Выполнил |
Кузнецов |
|
УСИЛИТЕЛЬ-корректор | У |
|
||||||||||||||||||||||||||||
Провер. |
Титов |
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Лист |
Листов |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
ТУСУР РТФ |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
|
Перечень элементов |
Кафедра РЗИ |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
|
гр. 148-3 |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
9 Заключение
Рассчитанный усилитель имеет следующие технические характеристики:
1. Рабочая полоса частот: 20-400 МГц
2. Линейные искажения
в области НЧ не более 3 дБ
в области ВЧ не более 3 дБ
3. Коэффициент усиления 32дБ с подъёмом АЧХ 3 дБ
4. Амплитуда выходного напряжения Uвых=3 В
5. Питание однополярное, Eп=9 В
6. Диапазон рабочих температур: от +10 до +60 градусов Цельсия
Усилитель рассчитан на нагрузку Rн=50 Ом
Усилитель имеет запас по усилению 2дБ, это нужно для того, чтобы в случае ухудшения, параметров отдельных элементов коэффициент передачи усилителя не опускался ниже заданного уровня, определённого техническим заданием.
10 Литература
1. Титов А.А. Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на полевых транзисторах – http://referat.ru/download/ref-2770.zip
2. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник/А.А. Зайцев и др. Под ред. А.В.Голомедова.-М.: Радио и Связь, 1989.-640 с.:Ил.
3. Мамонкин И.П. Усилительные устройства:Учебное пособие для вузов.-М.:Связь,1977
4. Титов А.А. Расчет межкаскадной согласующей цепи транзисторного полосового усилителя мощности.//Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. Вып. 1(475) 2000 г.
5. Титов А.А. Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах – http://referat.ru/download/ref-2764.zip