Основные направления развития миниатюризации и
микроминиатюризации РЭА
Современное развитие электронной техники позволяет создавать РЭА, ЭВМ,
аппаратуру связи, способные обеспечить решение сложных задач.
Одновременно с усложнением аппаратуры резко возрастает число электро- и
радиоэлементов, входящих в ее состав, следовательно, становятся более
важными проблемы микроминиатюризации аппаратуры.
Первые попытки миниатюризации РЭА были направлены на уменьшение размеров
радиодеталей и в первую очередь на создание миниатюрных электровакуумных
и полупроводниковых приборов, резисторов, конденсаторов, катушек
индуктивности, переключателей.
Разработка радиодеталей в миниатюрном исполнении привела к появлению
модулей и микромодулей, а объемный (навесной) монтаж аппаратуры заменен
печатным. Модульная и микромодульная конструкции позволили существенно
уменьшить массу и габариты аппаратуры по сравнению с объемным монтажом,
резко повысить надежность ее работы и снизить трудоемкость
производственного процесса. Модульное, микромодульное конструирование
радиоаппаратуры резко изменило характер производства: значительно
повысилась степень механизации и автоматизации, упростились
сборочно-монтажные и регулировочные работы благодаря тщательной
отработке, наладке и тренировке модулей или микромодулей до установки их
в блоки. В настоящее время выпускают большую номенклатуру микромодулей и
аппаратуры на их базе.
Основной тенденцией в конструировании РЭА и ЭВМ является комплексная
микроминиатюризация — микроэлектроника.
Микроэлектроника — это область электроники, охватывающая проблемы
исследования, конструирования, изготовления и применения
микроэлектронных изделий (интегральных микросхем).
Конструктивно-технологические процессы производства интегральных
микросхем разделяют на толстопленочные, тонкопленочные и
полупроводниковые. В соответствии с этим микросхемы подразделяются на
пленочные интегральные микросхемы и полупроводниковые.
Трудности в создании пленочных активных элементов (диодов, транзисторов)
вызвали необходимость в разработке и широком применении гибридных
интегральных микросхем, пассивная часть которых состоит из проводников,
конденсаторов, резисторов, изготовленных методами пленочной технологии,
а активная—из готовых дискретных элементов.
Наибольшее распространение получили полупроводниковые интегральные
микросхемы, основные элементы которых выполнены в виде транзисторных
структур различных свойств и видов.
В настоящее время ученые работают над увеличением количества активных
элементов в одном кристалле полупроводниковой интегральной микросхемы,
т. е. повышением степени интеграции. Созданы микросхемы с плотностью в
несколько сотен (большие интегральные схемы— БИС) и даже тысяч элементов
(сверхбольшие интегральные системы — СБИС) на одном кристалле.
Это позволило перейти к новому этапу микроэлектроники — функциональной
(молекулярной) микроэлектроники и созданию на ее базе новых типов
приборов — функциональных молекулярных схем. Для функциональной
микроэлектроники характерно использование различных объемных явлений,
молекулярных и межмолеку-лярных связей. Помимо чисто электрических
связей здесь используют оптические, акустические, магнитные, химические
и другие явления.
Таким образом, развитие микроэлектроники происходило последовательно и
микроминиатюризация аппаратуры, начатая с простого уменьшения размеров
радиодеталей, шла по пути применения новых материалов, технологии и
использования совершенно новых принципов, основанных на молекулярных
свойствах веществ. Однако следует иметь в виду, что задача уменьшения
размеров РЭА на основе микроэлектроники не является самоцелью, все это
должно сочетаться с увеличением надежности и долговечности, снижением
стоимости и упрощением технологии изготовления аппаратуры.
Некоторые сравнительные параметры схемы в различном конструктивном
исполнении: на лампах с печатным монтажом, на полупроводниковых приборах
в микромодульном исполнении и на интегральных микросхемах приведены в
табл. 6.
Таблица 6. Зависимость параметров схемы и занимаемого ею объема от
конструктивного исполнения
Конструктивное
исполнение
Параметры схемы и
занимаемый ею объем
на лампах с
печатным монтажом
микромо-
дульное
на микросхемах
Надежность (частота
отказов на 100 ч работы)
0,1
0,05
0,0070
65,0
16,20
0,0016
Потребляемая
мощность, Вт
5,0
0,75
0,0008
В настоящее время микроэлектроника развивается в
следующих основных направлениях (рис. 14): унифицированные
функциональные модули (микромодули), интегральные микросхемы и
молекулярные функциональные устройства (молекулярные схемы).
Рис. 14. Основные направления развития
микроэлектроники